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1. WO2020184319 - スパッタリングターゲット材及びその製造方法

公開番号 WO/2020/184319
公開日 17.09.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/009049
国際出願日 04.03.2020
IPC
C23C 14/34 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22被覆の方法に特徴のあるもの
34スパッタリング
C04B 35/582 2006.01
C化学;冶金
04セメント;コンクリート;人造石;セラミックス;耐火物
B石灰;マグネシア;スラグ;セメント;その組成物,例.モルタル,コンクリートまたは類似の建築材料;人造石;セラミックス;耐火物;天然石の処理
35組成に特徴を持つ成形セラミック製品;セラミック組成;セラミック製品を製造するための無機化合物粉末の処理
515非酸化物を基とするもの
58ほう化物,窒化物またはけい化物を基とするもの
581窒化アルミニウムを基とするもの
582複合組成物
出願人
  • 三井金属鉱業株式会社 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 眞崎 貴則 Masaki, Takanori
  • 吉田 和真 Yoshida, Kazuma
代理人
  • 特許業務法人翔和国際特許事務所 SHOWA INTERNATIONAL PATENT FIRM
優先権情報
2019-04518812.03.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SPUTTERING TARGET MATERIAL AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) MATÉRIAU DE CIBLE DE PULVÉRISATION, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) スパッタリングターゲット材及びその製造方法
要約
(EN)
This sputtering target material is constituted of AlN, 0.08-0.82 moles of Al with respect to one mole of AlN, and unavoidable impurities. The sputtering target material preferably has a relative density of 85-100%. The bulk resistivity is preferably not more than 1×10-1 Ω∙cm. In this method for producing a sputtering target material, AlN particles and Al particles are mixed together, at a mixing ratio of one mole of AlN and 0.08 to 0.82 moles of Al, and baking is conducted in an inert atmosphere other than a nitrogen atmosphere.
(FR)
Le matériau de cible de pulvérisation de l'invention est constitué d'un AlN, d'un Al à raison de 0,08 mole ou plus à 0,82mole ou moins pour 1 mole d'AlN, et des impuretés inévitables. De préférence, le matériau de cible de pulvérisation présente une densité relative supérieure ou égale à 85% et inférieure ou égale à 100%. Également de préférence, sa résistivité volumique est inférieure ou égale à 1×10-1Ωcm. Selon le procédé de fabrication de matériau de cible de pulvérisation de l'invention, des particules de AlN et des particules de Al sont mélangées en proportions telles que la quantité de Al est supérieure ou égale à 0,08 mole et inférieure ou égale à 0,82mole pour 1 mole de la quantité de AlN, et sont cuites sous atmosphère inerte autre qu'une atmosphère d'azote.
(JA)
本発明のスパッタリングターゲット材は、AlNと、1モルのAlNに対し、0.08モル以上0.82モル以下のAlと、不可避的不純物とからなる。スパッタリングターゲット材は相対密度が85%以上100%以下であることが好ましい。バルク抵抗率が1×10-1Ωcm以下であることも好ましい。本発明のスパッタリングターゲット材の製造方法は、AlN粒子とAl粒子とをAlNの量1モルに対しAlの量が0.08モル以上0.82モル以下となる比率で混合し、窒素雰囲気以外の不活性雰囲気で焼成する。
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