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1. WO2020184261 - 太陽電池およびその製造方法、太陽電池の検査方法、ならびに太陽電池モジュールおよびその製造方法

公開番号 WO/2020/184261
公開日 17.09.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/008771
国際出願日 02.03.2020
IPC
H01L 31/0236 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
02細部
0236特別の表面構造
H01L 31/0747 2012.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04光起電変換装置として使用されるもの
06少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
072電位障壁がPNヘテロ接合型のみからなるもの
0745AIVBIVヘテロ接合からなる,例.Si/Ge,SiGe/SiまたはSi/SiC太陽電池
0747結晶材料とアモルファス材料のヘテロ接合からなる,例.薄い真性層を備えたヘテロ接合またはHIT(登録商標)の太陽電池とのヘテロ結合
CPC
H01L 31/0236
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0236Special surface textures
H01L 31/0747
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
06characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
072the potential barriers being only of the PN heterojunction type
0745comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
0747comprising a heterojunction of crystalline and amorphous materials, e.g. heterojunction with intrinsic thin layer or HIT® solar cells; solar cells
出願人
  • 株式会社カネカ KANEKA CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 中野 邦裕 NAKANO, Kunihiro
  • 口山 崇 KUCHIYAMA, Takashi
代理人
  • 新宅 将人 SHINTAKU, Masato
優先権情報
2019-04358911.03.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SOLAR BATTERY AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME, METHOD FOR INSPECTING SOLAR BATTERY, AND SOLAR BATTERY MODULE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) BATTERIE SOLAIRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, PROCÉDÉ D'INSPECTION DE BATTERIE SOLAIRE, ET MODULE DE BATTERIE SOLAIRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 太陽電池およびその製造方法、太陽電池の検査方法、ならびに太陽電池モジュールおよびその製造方法
要約
(EN)
A solar battery (100) can be obtained by forming irregularities on a first principal surface of a crystal semiconductor substrate (1), which has said first principal surface and a second principal surface, and forming a thin film (11, 21, 31) composed of at least one layer on the first principal surface of the crystal semiconductor substrate (1). On a first principal surface of the solar battery (100), a flat region (101) having no irregularities therein occupies an area of 10 mm2 or more. A thin film (41) composed of at least one layer is formed in both an irregularity-formed region (102) and the flat region (101) on the first principal surface of the crystal semiconductor substrate (1).
(FR)
La présente invention concerne une batterie solaire (100) pouvant être obtenue par formation d'irrégularités sur une première surface principale d'un substrat semi-conducteur cristallin (1), qui est pourvu de ladite première surface principale et d'une seconde surface principale, et par formation d'un film mince (11, 21, 31) composé d'au moins une couche sur la première surface principale du substrat semi-conducteur cristallin (1). Sur une première surface principale de la batterie solaire (100), une région plate (101) dans laquelle il n'y a pas d'irrégularités occupe une zone de 10 mm2 ou plus. Un film mince (41) composé d'au moins une couche est formé à la fois dans une région constituée d'irrégularités (102) et la région plate (101) sur la première surface principale du substrat semi-conducteur cristallin (1).
(JA)
第一主面および第二主面を有する結晶半導体基板(1)の第一主面に凹凸を形成し、結晶半導体基板(1)の第一主面上に少なくとも1層の薄膜(11,21,31)を形成することにより、太陽電池(100)が得られる。太陽電池(100)の第一主面には、凹凸が設けられていない平坦領域(101)が10mm以上の面積で存在する。少なくとも1層の薄膜(41)は、結晶半導体基板(1)の第一主面上の、凹凸形成領域(102)および平坦領域(101)の両方に形成される。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報