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1. WO2020184213 - 光検出器

公開番号 WO/2020/184213
公開日 17.09.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/008228
国際出願日 28.02.2020
IPC
H01L 31/107 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
08輻射線が装置内を流れる電流を制御するもの,例.光―抵抗器(フォト―レジスター)
10少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの,例.フォトトランジスタ
101赤外線,可視光線または紫外線の放射に感応する装置
102唯一の電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
107電位障壁がアバランシェモードで作用するもの,例.アバランシェフォトダイオード
H01L 27/146 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144輻射線によって制御される装置
146固体撮像装置構造
出願人
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 倉田 憲治 KURATA, Kenji
  • 大竹 悠介 OTAKE, Yusuke
  • 磯谷 優治 ISOGAI, Yuji
代理人
  • 特許業務法人酒井国際特許事務所 SAKAI INTERNATIONAL PATENT OFFICE
優先権情報
2019-04334411.03.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PHOTODETECTOR
(FR) PHOTODÉTECTEUR
(JA) 光検出器
要約
(EN)
A photodetector comprises: an isolation region provided on the semiconductor substrate and defining a pixel region; a hole accumulation region provided on the semiconductor substrate of the pixel region along a side surface of the isolation region; a multiplication region that is on the semiconductor substrate of the pixel region and is formed by joining a first conductivity type region and a second conductivity type region in the thickness direction of the semiconductor substrate in order from the front surface side of the semiconductor substrate; and an isolation region provided on the semiconductor substrate in a region between the multiplication region and the hole accumulation region, wherein the formation depth of the insulation region is larger than the formation depth of the first conductivity type region.
(FR)
L'invention concerne un photodétecteur comprenant : une région d'isolation disposée sur le substrat semi-conducteur et définissant une région de pixel ; une région d'accumulation de trous disposée sur le substrat semi-conducteur de la région de pixel le long d'une surface latérale de la région d'isolation ; une région de multiplication qui est sur le substrat semi-conducteur de la région de pixel et est formée en joignant une région de premier type de conductivité et une région de second type de conductivité dans la direction de l'épaisseur du substrat semi-conducteur dans l'ordre à partir du côté de surface avant du substrat semi-conducteur ; et une région d'isolation disposée sur le substrat semi-conducteur dans une région entre la région de multiplication et la région d'accumulation de trous, la profondeur de formation de la région d'isolation étant supérieure à la profondeur de formation de la région de premier type de conductivité.
(JA)
半導体基板に設けられ、画素領域を画定する分離領域と、前記分離領域の側面に沿って前記画素領域の前記半導体基板に設けられたホール蓄積領域と、前記画素領域の前記半導体基板に設けられ、前記半導体基板の表面側から第1導電型領域、及び第2導電型領域を前記半導体基板の厚み方向に接合することで構成された増倍領域と、前記増倍領域と、前記ホール蓄積領域との間の領域の前記半導体基板に設けられた絶縁領域と、を備え、前記絶縁領域の形成深さは、前記第1導電型領域の形成深さよりも深い、光検出器。
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