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1. WO2020184052 - 半導体モジュール

公開番号 WO/2020/184052
公開日 17.09.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/005570
国際出願日 13.02.2020
IPC
H01L 23/29 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
28封緘,例.封緘層,被覆
29材料に特徴のあるもの
H01L 23/48 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
48動作中の固体本体からまたは固体本体へ電流を導く装置,例.リードまたは端子装置
CPC
H01L 23/29
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, ; e.g. for protection
29characterised by the material ; , e.g. carbon
H01L 23/40
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; ; Temperature sensing arrangements
40Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements
H01L 23/48
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements
H01L 25/07
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
03all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes
04the devices not having separate containers
07the devices being of a type provided for in group H01L29/00
H01L 25/18
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
25Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; ; Multistep manufacturing processes thereof
18the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L51/00
出願人
  • 株式会社デンソー DENSO CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 石野 寛 ISHINO Hiroshi
  • 三輪 亮太 MIWA Ryota
  • 大前 翔一朗 OMAE Shoichiro
  • 長瀬 拓生 NAGASE Takuo
代理人
  • 金 順姫 JIN Shunji
優先権情報
2019-04388511.03.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR MODULE
(FR) MODULE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体モジュール
要約
(EN)
This semiconductor module is provided with: a semiconductor element (30) having a first main electrode (31E) on one surface side and a second main electrode (31C) on a back surface side; a first conductive member (40E) disposed on the one surface side and connected to the first main electrode; a second conductive member (40C) disposed on the back surface side and connected to the second main electrode; and main terminals (60) which extend from the conductive members and include a first main terminal (60E) continuous with the first conductive member and a second main terminal (60C) continuous with the second conductive member. The main terminals are disposed so as to mutually cancel out a magnetic flux which is generated when a main electric current flows, and include: an opposing portion (61) in which the first main terminal and the second main terminal are spaced apart from and opposite each other; a non-opposing portion (62E) opposite the first conductive member side and continuous with the opposing portion of the first main terminal; a first connecting portion (63E) formed in the non-opposing portion of the first main terminal; and a second connecting portion (63C) formed in the opposing portion of the second main terminal in such a way that the position in which the second connecting portion (63C) is formed overlaps the first connecting portion in a width direction.
(FR)
L’invention concerne un module semi-conducteur étant pourvu : d'un élément semi-conducteur (30) ayant une première électrode principale (31E) sur un côté de surface et une seconde électrode principale (31C) sur un côté de surface arrière ; un premier élément conducteur (40E) disposé sur le côté de surface et connecté à la première électrode principale ; un second élément conducteur (40C) disposé sur le côté de surface arrière et connecté à la seconde électrode principale ; et des bornes principales (60) qui s'étendent à partir des éléments conducteurs et comprennent une première borne principale (60E) continue avec le premier élément conducteur et une seconde borne principale (60C) continue avec le second élément conducteur. Les bornes principales sont disposées de manière à annuler mutuellement un flux magnétique qui est généré lorsqu'un courant électrique principal circule, et comprennent : une partie opposée (61) dans laquelle la première borne principale et la seconde borne principale sont espacées l'une de l'autre et en regard l'une de l'autre ; une partie non opposée (62E) opposée au premier côté de l'élément conducteur et continue avec la partie opposée de la première borne principale ; une première partie de connexion (63E) formée dans la partie non opposée de la première borne principale ; et une seconde partie de connexion (63C) formée dans la partie opposée de la seconde borne principale de telle sorte que la position dans laquelle la seconde partie de liaison (63C) est formée chevauche la première partie de liaison dans une direction de largeur.
(JA)
半導体モジュールは、一面側に第1主電極(31E)を有し、裏面側に第2主電極(31C)を有する半導体素子(30)と、一面側に配置され、第1主電極と接続された第1導電部材(40E)、及び、裏面側に配置され、第2主電極と接続された第2導電部材(40C)と、導電部材から延設された主端子(60)であって、第1導電部材に連なる第1主端子(60E)、及び、第2導電部材に連なる第2主端子(60C)と、を備える。主端子は、主電流が流れたときに生じる磁束をお互いに打ち消すように配置され、第1主端子と第2主端子が離間して対向する対向部(61)と、第1導電部材側とは反対で、第1主端子の対向部に連なる非対向部(62E)と、第1主端子の非対向部に形成された第1接続部(63E)、及び、幅方向における形成位置が第1接続部と重複するように、第2主端子の対向部に形成された第2接続部(63Cと、を有する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報