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1. WO2020183620 - 光半導体素子

公開番号 WO/2020/183620
公開日 17.09.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/010081
国際出願日 12.03.2019
IPC
H01S 5/30 2006.01
H電気
01基本的電気素子
S光を増幅または生成するために,放射の誘導放出による光増幅を用いた装置;光領域以外の電磁放射の誘導放出を用いた装置
5半導体レーザ
30活性領域の構造または形状;活性領域に用いられる材料
H01L 31/10 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
08輻射線が装置内を流れる電流を制御するもの,例.光―抵抗器(フォト―レジスター)
10少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの,例.フォトトランジスタ
H01L 33/24 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02半導体素子本体に特徴のあるもの
20特定の形状を有するもの,例.湾曲または面取りされた基板
24発光領域にあるもの,例.非プレーナー接合
CPC
H01L 31/10
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
10characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
H01L 33/24
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
20with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
24of the light emitting region, e.g. non-planar junction
H01S 5/30
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
30Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
出願人
  • 特定非営利活動法人ナノフォトニクス工学推進機構 SPECIFIED NONPROFIT CORPORATION NANOPHOTONICS ENGINEERING ORGANIZATION [JP]/[JP]
発明者
  • 橋本 和信 HASHIMOTO Kazunobu
  • 杉浦 聡 SUGIURA Satoshi
  • 高須 秀視 TAKASU Hidemi
代理人
  • 岩池 満 IWAIKE Mitsuru
  • 菅沼 和弘 SUGANUMA Kazuhiro
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) OPTICAL SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR OPTIQUE
(JA) 光半導体素子
要約
(EN)
To provide a method of manufacturing an optical semiconductor element more efficiently than conventional methods, the method including a method of reducing damage to an active layer in the optical semiconductor element. An LD1 is configured such that in a semiconductor laser comprising a laminate including one or a plurality of active layers that generates light, the active layers are formed so as not to be exposed to the surface of the laminate. The LD1 can further comprise an optical resonator structure composed of the laminate. In the LD1, the optical resonator structure may be formed such that both end surfaces of an optical waveguide are formed to serve as a pair of reflection surfaces.
(FR)
La présente invention consiste à fournir un procédé de fabrication d'un élément semi-conducteur optique plus efficacement que les procédés classiques, le procédé comprenant un procédé de réduction des dommages subis par une couche active dans l'élément semi-conducteur optique. Un LD1 est configuré de sorte que, dans un laser à semi-conducteur comprenant un stratifié comprenant une ou plusieurs couche(s) active(s) qui génère(nt) de la lumière, les couches actives soient formées de manière à ne pas être découvertes à la surface du stratifié. Le LD1 peut en outre comprendre une structure de résonateur optique composée du stratifié. Dans le LD1, la structure de résonateur optique peut être formée de sorte que les deux surfaces d'extrémité d'un guide d'ondes optique soient formées pour servir de paire de surfaces de réflexion.
(JA)
光半導体素子において、活性層の損傷を低減させる手法を含む、従来技術よりも効率的に光半導体素子を製造する手法を提供すること。 LD1は、光を発生させる1または複数の活性層を含む積層体を備える半導体レーザにおいて、活性層は、積層体の表面に露出しないように形成されている。LD1は、積層体により構成された光共振器構造をさらに備えることができる。LD1において、光共振器構造は、光導波路の両端面を一対の反射面として形成させることもできる。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報