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1. WO2020183601 - 欠陥検出装置、欠陥検出方法並びにこれを備えた欠陥観察装置

公開番号 WO/2020/183601
公開日 17.09.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/009933
国際出願日 12.03.2019
IPC
G01N 21/956 2006.01
G物理学
01測定;試験
N材料の化学的または物理的性質の決定による材料の調査または分析
21光学的手段,すなわち,赤外線,可視光線または紫外線を使用することによる材料の調査または分析
84特殊な応用に特に適合したシステム
88きず,欠陥,または汚れの存在の調査
95調査対象物の材質や形に特徴付けられるもの
956物体表面のパターンの検査
H01L 21/66 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
66製造または処理中の試験または測定
CPC
G01N 21/956
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using infra-red, visible or ultra-violet light
84Systems specially adapted for particular applications
88Investigating the presence of flaws or contamination
95characterised by the material or shape of the object to be examined
956Inspecting patterns on the surface of objects
出願人
  • 株式会社日立ハイテク HITACHI HIGH-TECH CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 大谷 祐子 OTANI Yuko
  • 青木 一雄 AOKI Kazuo
  • 松本 俊一 MATSUMOTO Shunichi
  • 浦野 雄太 URANO Yuta
代理人
  • ポレール特許業務法人 POLAIRE I.P.C.
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) DEFECT DETECTION DEVICE, DEFECT DETECTION METHOD, AND DEFECT OBSERVATION APPARATUS PROVIDED WITH SAME
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE DÉTECTION DE DÉFAUTS, ET DISPOSITIF D'OBSERVATION DE DÉFAUTS POURVU DE CE DISPOSITIF
(JA) 欠陥検出装置、欠陥検出方法並びにこれを備えた欠陥観察装置
要約
(EN)
In order to enable observation, at a high speed and at a high detection rate, of defects or the like caused on a semiconductor wafer during a manufacturing process of a semiconductor device, this defect detection device is provided with: an illumination optical system for irradiating a wafer with light; an imaging optical system for capturing an image of scattered light generated on the wafer irradiated with light by the illumination optical system; and an image processing unit for performing image processing on the image of the scattered light captured by the imaging optical system and thereby educing any defects on the wafer, wherein the imaging optical system includes an objective lens, a filter part for partially blocking the light having transmitted through the objective lens, and an image forming lens for forming, on an imaging element, an image of light having transmitted through the filter part. The filter part is configured to have a first microlens array for collecting parallel light having transmitted through the objective lens, a shutter array that is provided with a light transmission portion at a focal position of the first microlens array, and a second microlens array disposed on the opposite side to the first microlens array across the shutter array.
(FR)
Afin de permettre l'observation, à grande vitesse et à un taux de détection élevé, de défauts ou analogues formés sur une tranche de semi-conducteur pendant un processus de fabrication de dispositif semi-conducteur, la présente invention concerne un dispositif de détection de défauts comprenant : un système optique d'éclairage destiné à irradier une tranche avec de la lumière ; un système optique d'imagerie destiné à capturer une image de lumière diffusée générée sur la tranche irradiée par le système optique d'éclairage ; et une unité de traitement d'image destinée à effectuer un traitement sur l'image de la lumière diffusée capturée par le système optique d'imagerie et à détecter ainsi tout défaut sur la tranche, le système optique d'imagerie comprenant une lentille de focalisation, une partie filtre destinée à bloquer partiellement la lumière transmise à travers la lentille de focalisation, et une lentille de formation d'image destinée à former, sur un élément d'imagerie, une image de lumière transmise à travers la partie filtre. La partie filtre est configurée pour comprendre un premier réseau de microlentilles destiné à collecter une lumière parallèle transmise à travers la lentille de focalisation, un réseau d'obturateurs pourvu d'une partie transmission de lumière au niveau d'une position focale du premier réseau de microlentilles, et un deuxième réseau de microlentilles disposé sur le côté opposé au premier réseau de microlentilles, sur le réseau d'obturateurs.
(JA)
半導体デバイスの製造工程において半導体ウェハ上に発生した欠陥等を高速かつ高検出率で観察できるようにするようにするために、ウェハに対して光を照射する照明光学系と、この照明光学系により光が照射されたウェハ上で発生した散乱光の像を撮像する撮像光学系と、この撮像光学系で撮像して得た散乱光の像の画像を処理してウェハ上の欠陥を抽出する画像処理部とを備えた欠陥検出装置において、撮像光学系は、対物レンズと、対物レンズを透過した光の一部を遮光するフィルタ部と、フィルタ部を透過した光の像を撮像素子上に結像する結像レンズとを有し、フィルタ部は、対物レンズを透過した平行光を集光する第一のマイクロレンズアレイと、この第一のマイクロレンズアレイの焦点位置に光透過部を備えたシャッターアレイと、このシャッタアレイに対して第一のマイクロレンズアレイと反対側に配置された第二のマイクロレンズアレイとを備えて構成した。
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