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1. WO2020171180 - 静電チャック

公開番号 WO/2020/171180
公開日 27.08.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/006877
国際出願日 20.02.2020
IPC
H01L 21/3065 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
H01L 21/31 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
H01L 21/683 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
683支持または把持のためのもの
CPC
H01L 21/3065
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
3065Plasma etching; Reactive-ion etching
H01L 21/31
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
H01L 21/683
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
出願人
  • 京セラ株式会社 KYOCERA CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 吉川 貴之 YOSHIKAWA, Takayuki
代理人
  • 西教 圭一郎 SAIKYO, Keiichiro
優先権情報
2019-03027822.02.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) ELECTROSTATIC CHUCK
(FR) MANDRIN ÉLECTROSTATIQUE
(JA) 静電チャック
要約
(EN)
This electrostatic chuck (1) is provided with: a disc-shaped sample holder member (20) including a disc-shaped holder member body (21) having a circular upper surface on which a sample can be placed, and an annular flange portion (22) protruding outward from an outer circumferential surface (25) of the holder member body (21); an annular body (30) placed on the flange portion (22) and covering an upper surface or an outer circumferential surface of the flange portion (22); a first electrode (26) disposed in the holder member body (21) to electrostatically attract a sample; and a second electrode (27) disposed in the flange portion (22) to attract the annular body (30). An inner lateral end portion of the second electrode (27) is positioned inside the holder member body (21).
(FR)
L'invention concerne un mandrin électrostatique (1) comprenant : un élément de support d'échantillon en forme de disque (20) comprenant un corps d'élément de support en forme de disque (21) ayant une surface supérieure circulaire sur laquelle un échantillon peut être placé, et une partie de bride annulaire (22) faisant saillie vers l'extérieur à partir d'une surface circonférentielle externe (25) du corps d'élément de support (21) ; un corps annulaire (30) placé sur la partie de bride (22) et recouvrant une surface supérieure ou une surface circonférentielle externe de la partie de bride (22) ; une première électrode (26) disposée dans le corps d'élément de support (21) pour attirer électrostatiquement un échantillon ; et une seconde électrode (27) disposée dans la partie de bride (22) pour attirer le corps annulaire (30). Une partie d'extrémité latérale interne de la seconde électrode (27) est positionnée à l'intérieur du corps d'élément de support (21).
(JA)
本開示の静電チャック(1)は、円板状の試料保持部材(20)であって、試料を載置可能な円形の上面を有する円板状の保持部材本体(21)と、保持部材本体(21)の外周面(25)から外方に突出する環状の鍔部(22)とを含む試料保持部材(20)と、鍔部(22)の上に載置される、鍔部(22)の上面または外周面を覆う環状体(30)と、保持部材本体(21)内に配設された、試料の静電吸着用の第1電極(26)と、鍔部(22)内に配設された、環状体(30)の吸着用の第2電極(27)と、を備えている。第2電極(27)の内方側端部は、保持部材本体(21)の内部に位置している。
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