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1. WO2020170925 - 電界効果型トランジスタ、その製造方法およびそれを用いた無線通信装置

公開番号 WO/2020/170925
公開日 27.08.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/005522
国際出願日 13.02.2020
IPC
H01L 21/336 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335電界効果トランジスタ
336絶縁ゲートを有するもの
H01L 29/786 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786薄膜トランジスタ
H01L 21/28 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28H01L21/20~H01L21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
H01L 21/288 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28H01L21/20~H01L21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
283電極用の導電または絶縁材料の析出
288液体からの析出,例.電解液からの析出
H01L 21/822 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
H01L 21/8234 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232電界効果技術
8234MIS技術
CPC
H01L 21/28
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
H01L 21/288
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
283Deposition of conductive or insulating materials for electrodes ; conducting electric current
288from a liquid, e.g. electrolytic deposition
H01L 21/822
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
H01L 21/8234
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
82to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
822the substrate being a semiconductor, using silicon technology
8232Field-effect technology
8234MIS technology ; , i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
H01L 27/04
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
H01L 27/06
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
06including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
出願人
  • 東レ株式会社 TORAY INDUSTRIES, INC. [JP]/[JP]
発明者
  • 河井翔太 KAWAI, Shota
  • 清水浩二 SHIMIZU, Hiroji
  • 村瀬清一郎 MURASE, Seiichiro
優先権情報
2019-02918821.02.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) FIELD-EFFECT TRANSISTOR, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND WIRELESS COMMUNICATION DEVICE
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF DE COMMUNICATION SANS FIL
(JA) 電界効果型トランジスタ、その製造方法およびそれを用いた無線通信装置
要約
(EN)
The present invention addresses the problem of providing a field-effect transistor which can be manufactured using simple processes and at low cost, and in which wires and source/drain electrodes can be distinguished easily during inspection. Provided is a field-effect transistor having, on a substrate: a source electrode, a drain electrode, and a gate electrode; a semiconductor layer in contact with the source electrode and the drain electrode; wires respectively electrically connected to the source electrode and the drain electrode; and a gate insulating layer insulating the semiconductor layer from the gate electrode. The field-effect transistor has the main features that: a connecting portion between the source electrode and the wires forms a continuous phase; a connecting portion between the drain electrode and the wires forms a continuous phase; the portions constituting the continuous phases include at least an electrically conductive component and an organic component; and the integrated value of optical reflectance in a region of wavelengths 600 nm to 900 nm inclusive in the wires is greater than the integrated value of optical reflectance in the region of wavelengths 600 nm to 900 nm inclusive in the source electrode and the drain electrode.
(FR)
La présente invention aborde le problème de fourniture d'un transistor à effet de champ qui peut être fabriqué à l'aide de procédés simples et à faible coût, et dans lequel des fils et des électrodes de source/drain peuvent être distingués facilement pendant l'inspection. L'invention concerne un transistor à effet de champ ayant, sur un substrat : une électrode de source, une électrode de drain et une électrode de grille ; une couche semi-conductrice en contact avec l'électrode de source et l'électrode de drain ; des fils respectivement connectés électriquement à l'électrode de source et à l'électrode de drain ; et une couche d'isolation de grille isolant la couche semi-conductrice de l'électrode de grille. Le transistor à effet de champ a les caractéristiques principales suivantes : une partie de connexion entre l'électrode de source et les fils forme une phase continue ; une partie de connexion entre l'électrode de drain et les fils forme une phase continue ; les parties constituant les phases continues comprennent au moins un composant électriquement conducteur et un composant organique ; et la valeur intégrée de réflectance optique dans une région de longueurs d'onde de 600 nm à 900 nm incluse dans les fils est supérieure à la valeur intégrée de réflectance optique dans la région de longueurs d'onde de 600 nm à 900 nm incluse dans l'électrode de source et l'électrode de drain.
(JA)
簡便なプロセスを用いて低コストで製造可能で、検査時において配線とソース・ドレイン電極の区別が容易となる電界効果型トランジスタを提供することを課題とし、基板上にソース電極、ドレイン電極およびゲート電極と、前記ソース電極およびドレイン電極と接する半導体層と、前記ソース電極およびドレイン電極それぞれと電気的に接続された配線と、前記半導体層を前記ゲート電極と絶縁するゲート絶縁層と、を備えた電界効果型トランジスタであり、前記ソース電極と前記配線との接続部は連続相を形成し、かつ前記ドレイン電極と前記配線との接続部は連続相を形成し、前記連続相を構成する部分は少なくとも導電性成分と有機成分とを含み、前記配線における波長600nm以上900nm以下の領域での光反射率の積算値が、前記ソース電極およびドレイン電極における波長600nm以上900nm以下の領域での光反射率の積算値より高いことを本旨とする。
他の公開
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