(EN) Provided is a graphene transistor which includes at least one graphene layer comprising graphene, a drain electrode and a source electrode that are electrically connected to the graphene layer, and a charge donor that includes impurity charge and is present on at least one main face of the graphene layer, the graphene transistor further including counter ions which are ions having a charge with a sign different from that of the impurity charge.
(FR) L'invention concerne un transistor à base de graphène qui comprend au moins une couche de graphène comprenant du graphène, une électrode de drain et une électrode de source qui sont électriquement reliées à la couche de graphène, et un donneur de charge qui comprend une charge d'impureté et est présent sur au moins une face principale de la couche de graphène, le transistor de graphène comprenant en outre des contre-ions qui sont des ions ayant une charge avec un signe différent de celui de la charge d'impureté.
(JA) 少なくとも一層のグラフェンからなるグラフェン層と、前記グラフェン層と電気的に接続されているドレイン電極およびソース電極と、前記グラフェン層の少なくとも一方の主面上に存在し、不純物電荷を含む電荷供与体と、を含む、グラフェントランジスタであって、前記不純物電荷とは異なる符号の電荷を有するイオンであるカウンターイオンをさらに含む、グラフェントランジスタ。