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1. WO2020170799 - グラフェントランジスタおよびその製造方法

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公開番号 WO/2020/170799
公開日 27.08.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/004066
国際出願日 04.02.2020
IPC
H01L 51/30 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
30材料の選択
G01N 27/414 2006.01
G物理学
01測定;試験
N材料の化学的または物理的性質の決定による材料の調査または分析
27電気的,電気化学的,または磁気的手段の利用による材料の調査または分析
26電気化学的変量の調査によるもの;電解または電気泳動の利用によるもの
403セルと電極の組合せ
414イオン感応性または化学的電界効果トランジスタ,例.ISFETSまたはCHEMFETS
H01L 29/16 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
02半導体本体
12構成材料に特徴のあるもの
16ドーピング材料または他の不純物は別にして,非結合型周期表の第IV族の元素のみを含むもの
H01L 29/66 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
H01L 29/786 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786薄膜トランジスタ
H01L 51/05 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
CPC
G01N 27/414
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
27Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
26by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
403Cells and electrode assemblies
414Ion-sensitive or chemical field-effect transistors, i.e. ISFETS or CHEMFETS
H01L 29/16
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
12characterised by the materials of which they are formed
16including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic System
H01L 29/66
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
H01L 29/786
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
786Thin film transistors, ; i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
H01L 51/05
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
05specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential- jump barrier or surface barrier ; multistep processes for their manufacture
出願人
  • 株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP]/[JP]
  • 国立大学法人大阪大学 OSAKA UNIVERSITY [JP]/[JP]
発明者
  • 宮川　成人 MIYAKAWA, Naruto
  • 品川　歩 SHINAGAWA, Ayumi
  • 牛場　翔太 USHIBA, Shota
  • 木村　雅彦 KIMURA, Masahiko
  • 松本　和彦 MATSUMOTO, Kazuhiko
  • 小野　尭生 ONO, Takao
代理人
  • 特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.
優先権情報
2019-02908021.02.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) GRAPHENE TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) TRANSISTOR À BASE DE GRAPHÈNE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) グラフェントランジスタおよびその製造方法
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要約
(EN)
Provided is a graphene transistor which includes at least one graphene layer comprising graphene, a drain electrode and a source electrode that are electrically connected to the graphene layer, and a charge donor that includes impurity charge and is present on at least one main face of the graphene layer, the graphene transistor further including counter ions which are ions having a charge with a sign different from that of the impurity charge.
(FR)
L'invention concerne un transistor à base de graphène qui comprend au moins une couche de graphène comprenant du graphène, une électrode de drain et une électrode de source qui sont électriquement reliées à la couche de graphène, et un donneur de charge qui comprend une charge d'impureté et est présent sur au moins une face principale de la couche de graphène, le transistor de graphène comprenant en outre des contre-ions qui sont des ions ayant une charge avec un signe différent de celui de la charge d'impureté.
(JA)
少なくとも一層のグラフェンからなるグラフェン層と、前記グラフェン層と電気的に接続されているドレイン電極およびソース電極と、前記グラフェン層の少なくとも一方の主面上に存在し、不純物電荷を含む電荷供与体と、を含む、グラフェントランジスタであって、前記不純物電荷とは異なる符号の電荷を有するイオンであるカウンターイオンをさらに含む、グラフェントランジスタ。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報
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