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1. WO2020170482 - 原子層堆積方法および原子層堆積装置

公開番号 WO/2020/170482
公開日 27.08.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/034118
国際出願日 30.08.2019
IPC
H01L 21/316 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314無機物層
316酸化物またはガラス性酸化物または酸化物を基礎としたガラスからなるもの
C23C 16/40 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
30化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物
40酸化物
H01L 21/31 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
出願人
  • 株式会社明電舎 MEIDENSHA CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 亀田 直人 KAMEDA, Naoto
  • 三浦 敏徳 MIURA, Toshinori
  • 花倉 満 KEKURA, Mitsuru
代理人
  • 小林 博通 KOBAYASHI, Hiromichi
  • 富岡 潔 TOMIOKA, Kiyoshi
  • 鵜澤 英久 UZAWA, Hidehisa
  • 太田 友幸 OTA, Tomoyuki
優先権情報
2019-02702419.02.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) ATOMIC LAYER DEPOSITION METHOD AND ATOMIC LAYER DEPOSITION DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE DÉPÔT PAR COUCHE ATOMIQUE ET DISPOSITIF DE DÉPÔT PAR COUCHE ATOMIQUE
(JA) 原子層堆積方法および原子層堆積装置
要約
(EN)
An atomic layer deposition device (1) includes a processing substrate (2) provided in a vacuum vessel (3) and a shower head (4). The processing substrate (2) is provided in the vacuum vessel (3) and the shower head (4) is provided so as to face a processing surface of the processing substrate (2). The shower head (4) supplies a high concentration ozone gas, an unsaturated hydrocarbon gas, and an ALD source gas to the processing substrate (2). The device (1) forms an oxide film on the surface of the processing substrate (2) by repeatedly performing four steps consisting of an oxidant supplying step of supplying the high concentration ozone gas and the unsaturated hydrocarbon gas to the vacuum vessel (3), an oxidant purging step of discharging the gas supplied in the oxidant supplying step, a source gas supplying step of supplying the source gas to the vacuum vessel (3), and a source gas purging step of discharging the source gas supplied to the vacuum vessel (3). Unsaturated hydrocarbon or ozone is used as a purge gas in the oxidant purging step and/or source gas purging step.
(FR)
Un dispositif de dépôt par couche atomique (1) comprend un substrat de traitement (2) disposé dans un récipient sous vide (3) et un pommeau de douche (4). Le substrat de traitement (2) est disposé dans le récipient sous vide (3) et le pommeau de douche (4) est disposé de façon à faire face à une surface de traitement du substrat de traitement (2). Le pommeau de douche (4) fournit un gaz d'ozone à haute concentration, un gaz d'hydrocarbure insaturé et un gaz source ALD au substrat de traitement (2). Le dispositif (1) forme un film d'oxyde sur la surface du substrat de traitement (2) par réalisation répétée de quatre étapes consistant en une étape d'alimentation en oxydant consistant à fournir le gaz d'ozone à haute concentration et le gaz d'hydrocarbure insaturé au récipient sous vide (3), une étape de purge d'oxydant consistant à évacuer le gaz fourni dans l'étape d'alimentation en oxydant, une étape d'alimentation en gaz source consistant à fournir le gaz source au récipient sous vide (3), et une étape de purge de gaz source consistant à évacuer le gaz source fourni au récipient sous vide (3). Un hydrocarbure insaturé ou de l'ozone est utilisé comme gaz de purge dans l'étape de purge d'oxydant et/ou l'étape de purge de gaz source.
(JA)
真空容器(3)内に備えられた処理基板(2)と、シャワーヘッド(4)を備えた原子層堆積装置(1)である。真空容器(3)に処理基板(2)を備え、処理基板(2)の処理面と向かい合うようにシャワーヘッド(4)を備える。シャワーヘッド(4)から処理基板(2)に高濃度のオゾンガス、不飽和炭化水素ガス、ALDの原料ガスを供する。装置(1)は、高濃度のオゾンガスと不飽和炭化水素ガスを真空容器(3)内に供給する酸化剤供給工程、酸化剤供給工程に供されたガスを排気する酸化剤パージ工程、原料ガスを真空容器(3)に供する原料ガス供給工程、および真空容器(3)に供された原料ガスを排気する原料ガスパージ工程、の4つの工程を繰り返し行い、処理基板(2)表面に酸化膜を形成する。酸化剤パージ工程および/または原料ガスパージ工程では、不飽和炭化水素またはオゾンをパージガスとして用いる。
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