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1. WO2020166475 - マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法

公開番号 WO/2020/166475
公開日 20.08.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/004507
国際出願日 06.02.2020
IPC
G03F 1/32 2012.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
1フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造に用いる原稿,例.マスク,フォトマスク又はレチクル;そのためのマスクブランク又はペリクル;特にそれに適合した容器;その準備
26位相シフトマスク;PSMブランク;その準備
32減衰PSM,例.ハーフトーンPSM又は半透明な位相シフト部を有するPSM;その準備
C23C 14/06 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06被覆材料に特徴のあるもの
CPC
C23C 14/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
06characterised by the coating material
G03F 1/32
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
26Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
32Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion,; Preparation thereof
出願人
  • HOYA株式会社 HOYA CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 前田 仁 MAEDA, Hitoshi
  • 野澤 順 NOZAWA, Osamu
  • 宍戸 博明 SHISHIDO, Hiroaki
代理人
  • 永田 豊 NAGATA, Yutaka
  • 大島 孝文 OSHIMA, Takafumi
  • 太田 司 OTA, Tsukasa
優先権情報
2019-02389113.02.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) MASK BLANK, PHASE SHIFT MASK, METHOD OF MANUFACTURING PHASE SHIFT MASK, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) ÉBAUCHE DE MASQUE, MASQUE DE DÉPHASAGE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MASQUE DE DÉPHASAGE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法
要約
(EN)
The purpose of the present invention is to provide a mask blank which has a phase shift film, and which can suppress thermal expansion of a pattern of the phase shift film, and suppress movement of the pattern caused by the thermal expansion. The phase shift film has: a function of transmitting exposure light of KrF excimer laser with a transmittance of 2% or more; and a function of generating a phase difference of 150-210 degrees between exposure light passing through the phase shift film and exposure light passing through the air by the same distance as the thickness of the phase shift film. The phase shift film is characterized by comprising a structure in which a lower layer and an upper layer are sequentially laminated from a transparent substrate side, wherein: when a refractive index at the wavelength of the exposure light of the lower layer is nL and a refractive index at the wavelength of the exposure light of the upper layer is nU, the relationship nL > nU is satisfied; when an extinction coefficient at the wavelength of the exposure light of the lower layer is kL and an extinction coefficient at the wavelength of the exposure light of the upper layer is kU, the relationship kL > kU is satisfied; and when the thickness of the lower layer is dL and the thickness of the upper layer is dU, the relationship dL < dU is satisfied.
(FR)
Le but de la présente invention est de fournir une ébauche de masque qui est dotée d'un film à décalage de phase et qui peut supprimer l'expansion thermique d'un motif du film à décalage de phase et supprimer un mouvement du motif provoqué par l'expansion thermique. Le film à décalage de phase possède : une fonction de transmission de lumière d'exposition d'un laser à excimères KrF ayant une transmittance supérieure ou égale à 2 % ; et une fonction de génération d'une différence de phase de 150 à 210 degrés entre la lumière d'exposition traversant le film à décalage de phase et la lumière d'exposition traversant l'air par une distance égale à l'épaisseur du film à décalage de phase. Le film à décalage de phase est caractérisé en ce qu'il comprend une structure dans laquelle une couche inférieure et une couche supérieure sont séquentiellement stratifiées à partir d'un côté substrat transparent. Lorsqu'un indice de réfraction de la longueur d'onde de la lumière d'exposition de la couche inférieure est nL et qu'un indice de réfraction de la longueur d'onde de la lumière d'exposition de la couche supérieure est nU, la relation nL > nU est satisfaite ; lorsqu'un coefficient d'extinction de la longueur d'onde de la lumière d'exposition de la couche inférieure est kL et qu'un coefficient d'extinction de la longueur d'onde de la lumière d'exposition de la couche supérieure est kU, la relation kL > kU est satisfaite ; et lorsque l'épaisseur de la couche inférieure est dL et que l'épaisseur de la couche supérieure est dU, la relation dL < dU est satisfaite.
(JA)
位相シフト膜のパターンの熱膨張を抑制し、これに起因する該パターンの移動を抑制することのできる位相シフト膜を備えるマスクブランクを提供することを目的とする。 位相シフト膜は、KrFエキシマレーザーの露光光を2%以上の透過率で透過させる機能と、位相シフト膜を透過した露光光に対して位相シフト膜の厚さと同じ距離だけ空気中を通過した露光光との間で150度以上210度以下の位相差を生じさせる機能とを有し、位相シフト膜は、透光性基板側から下層および上層が順に積層した構造を含み、下層の露光光の波長における屈折率をn、上層の露光光の波長における屈折率をnとしたとき、n>nの関係を満たし、下層の露光光の波長における消衰係数をk、上層の露光光の波長における消衰係数をkとしたとき、k>kの関係を満たし、下層の厚さをd、上層の厚さをdとしたとき、d<dの関係を満たすことを特徴とする。
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