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1. WO2020166309 - 撮像素子および撮像装置

公開番号 WO/2020/166309
公開日 20.08.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/002674
国際出願日 27.01.2020
IPC
H01L 51/42 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
42赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応に特に適用されるもの;輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するか,またはこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
H01L 31/10 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
08輻射線が装置内を流れる電流を制御するもの,例.光―抵抗器(フォト―レジスター)
10少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの,例.フォトトランジスタ
H01L 27/146 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144輻射線によって制御される装置
146固体撮像装置構造
H01L 27/30 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
28能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる構成部品を含むもの
30赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射への感応に特に適用される構成部品を有するもの;輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するか,またはこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用される構成部品を有するもの
CPC
H01L 27/146
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
H01L 27/30
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
28including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part
30with components specially adapted for sensing infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength, or corpuscular radiation; with components specially adapted for either the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
H01L 31/10
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
10characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
H01L 51/42
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
42specially adapted for sensing infra-red radiation, light, electro-magnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation ; using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other material as the active part; Multistep processes for their manufacture
Y02E 10/549
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
10Energy generation through renewable energy sources
50Photovoltaic [PV] energy
549Organic PV cells
出願人
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 亀井 貴弘 KAMEI, Takahiro
代理人
  • 特許業務法人つばさ国際特許事務所 TSUBASA PATENT PROFESSIONAL CORPORATION
優先権情報
2019-02559515.02.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) IMAGING ELEMENT AND IMAGING DEVICE
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE ET DISPOSITIF D'IMAGERIE
(JA) 撮像素子および撮像装置
要約
(EN)
The imaging element according to an embodiment of the present disclosure comprises: a semiconductor substrate having an effective pixel region in which a plurality of pixels are disposed, and a periphery region provided around the effective pixel region; a first electrode that comprises a plurality of electrodes and is provided on the light-receiving-surface side of the semiconductor substrate; a second electrode disposed so as to face the first electrode; a photoelectric conversion unit having a charge accumulation layer and a photoelectric conversion layer, which are provided so as to be sequentially laminated between the first electrode and the second electrode and which extend in the effective pixel region; a first hydrogen block layer covering the upper and side surfaces of the photoelectric conversion layer as well as the side surfaces of the charge accumulation layer; an interlayer insulation layer provided between the semiconductor substrate and the photoelectric conversion unit; and a separation groove that separates the interlayer insulation layer in at least a part of the position between the effective pixel region and the periphery region, the first hydrogen block layer covering the side surfaces and the bottom surface of the separation groove.
(FR)
L'élément d'imagerie selon un mode de réalisation de la présente invention comprend : un substrat semi-conducteur ayant une région de pixel efficace dans laquelle une pluralité de pixels sont disposés, et une région périphérique disposée autour de la région de pixel efficace ; une première électrode qui comprend une pluralité d'électrodes et est disposée sur le côté surface de réception de lumière du substrat semi-conducteur ; une seconde électrode disposée de manière à faire face à la première électrode ; une unité de conversion photoélectrique ayant une couche d'accumulation de charge et une couche de conversion photoélectrique, qui sont disposées de façon à être stratifiées de manière séquentielle entre la première électrode et la seconde électrode et qui s'étendent dans la région de pixel efficace ; une première couche de bloc d'hydrogène recouvrant les surfaces supérieure et latérale de la couche de conversion photoélectrique ainsi que les surfaces latérales de la couche d'accumulation de charge ; une couche d'isolation intercouche disposée entre le substrat semi-conducteur et l'unité de conversion photoélectrique ; et une rainure de séparation qui sépare la couche d'isolation intercouche dans au moins une partie de la position entre la région de pixel efficace et la région périphérique, la première couche de bloc d'hydrogène recouvrant les surfaces latérales et la surface inférieure de la rainure de séparation.
(JA)
本開示の一実施形態の撮像素子は、複数の画素が配置された有効画素領域および有効画素領域の周囲に設けられた周辺領域を有する半導体基板と、半導体基板の受光面側に設けられると共に、複数の電極からなる第1電極と、第1電極と対向配置された第2電極と、第1電極と第2電極との間に順に積層して設けられると共に、有効画素領域に延在する電荷蓄積層および光電変換層とを有する光電変換部と、光電変換層の上方および側面ならびに電荷蓄積層の側面を覆う第1の水素ブロック層と、半導体基板と光電変換部との間に設けられた層間絶縁層と、有効画素領域と周辺領域との間の少なくとも一部において層間絶縁層を分離すると共に、第1の水素ブロック層が側面および底面を覆う分離溝とを備える。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報