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1. WO2020166048 - ガス成分のモニタ方法及びその装置並びにそれを用いた処理装置

公開番号 WO/2020/166048
公開日 20.08.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/005467
国際出願日 15.02.2019
IPC
H01L 21/3065 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
G01N 21/73 2006.01
G物理学
01測定;試験
N材料の化学的または物理的性質の決定による材料の調査または分析
21光学的手段,すなわち,赤外線,可視光線または紫外線を使用することによる材料の調査または分析
62調査される材料が励起され,それにより光を発しまたは入射光の波長に変化を生ずるシステム
71熱的励起
73プラズマバーナまたはプラズマトーチを用いるもの
CPC
G01N 21/73
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
62Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
71thermally excited
73using plasma burners or torches
H01J 37/32
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
H01L 21/3065
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
3065Plasma etching; Reactive-ion etching
H05H 1/00
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
HPLASMA TECHNIQUE
1Generating plasma; Handling plasma
出願人
  • 株式会社日立ハイテクノロジーズ HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 小川 芳文 OGAWA Yoshifumi
  • 高妻 豊 KOUZUMA Yutaka
  • 伊澤 勝 IZAWA Masaru
代理人
  • ポレール特許業務法人 POLAIRE I.P.C.
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR MONITORING GAS COMPONENT, DEVICE THEREFOR, AND PROCESSING DEVICE USING SAME
(FR) PROCÉDÉ DE SURVEILLANCE DE COMPOSANT GAZEUX, DISPOSITIF ASSOCIÉ ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT UTILISANT CELUI-CI
(JA) ガス成分のモニタ方法及びその装置並びにそれを用いた処理装置
要約
(EN)
This gas component monitoring device comprises a gas component monitoring part that forms plasma by re-excitation downstream of an installed position of a workpiece and monitors light emission of the plasma, wherein the gas component monitoring part includes: an introduction gas supply part that supplies an introduction gas; a nozzle part which has a hole through which the introduction gas supplied from the introduction gas supply part passes and an opening for allowing a portion of gas to be analyzed that flows through an exhaust pipe part to be taken up into the interior of the hole at an intermediate point in the hole; a discharge electrode part that causes an electrical discharge in the gas to be analyzed that is taken up into the interior of the nozzle part from the opening and the introduction gas supplied into the hole to generate a plasma inside the nozzle; and a light emission detection part that detects light emission of the plasma generated inside the nozzle by the discharge electrode part.
(FR)
Dispositif de surveillance de composant gazeux comprenant une partie de surveillance de composant gazeux qui forme un plasma par réexcitation en aval d'une position installée d'une pièce et surveille l'émission de lumière du plasma, la partie de surveillance de composant gazeux comprenant : une partie d'alimentation en gaz d'introduction qui apporte un gaz d'introduction ; une partie buse qui comporte un trou par lequel passe le gaz d'introduction apporté par la partie d'alimentation en gaz d'introduction et une ouverture pour permettre à une partie de gaz à analyser qui s'écoule dans une partie de tuyau d'échappement d'être pris dans l'intérieur du trou au niveau d'un point intermédiaire dans le trou ; une partie électrode de décharge qui provoque une décharge électrique dans le gaz à analyser qui est pris dans l'intérieur de la partie buse à partir de l'ouverture et le gaz d'introduction introduit dans le trou pour générer un plasma à l'intérieur de la buse ; et une partie de détection d'émission de lumière qui détecte l'émission de lumière du plasma généré à l'intérieur de la buse par la partie électrode de décharge.
(JA)
被加工物の設置位置より下流側で再励起してプラズマを形成し、その発光をモニタするガス成分モニタ部を備えたガス成分モニタ装置において、ガス成分モニタ部を、導入ガスを供給する導入ガス供給部と、導入ガス供給部から供給された導入ガスを通す孔とこの孔の途中で排気配管部を流れる分析対象のガスの一部を穴の内部に取り込む開口部が形成されたノズル部と、開口部からノズル部の内部に取り込んだ分析対象のガスと孔の内部に供給された導入ガスとを放電させてノズルの内部にプラズマを発生させる放電電極部と、放電電極部によりノズルの内部に発生させたプラズマの発光を検出する発光検出部とを備えて構成した。
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