(EN) This semiconductor device includes: a semiconductor layer having a main surface; a trench gate structure which has a first lateral wall on one side in a cross-sectional view, a second lateral wall on the other side, and a bottom wall, and which includes a trench formed in the main surface, an insulating layer formed in the inner wall of the trench, and a gate electrode embedded in the trench with the insulating layer therebetween and having an upper end portion thereof positioned on the bottom wall side with respect to the main surface; a plurality of first conductivity-type drift regions which are respectively formed in a region of the first lateral wall side and a region of the second lateral wall side of the trench so as to oppose each other with the trench therebetween in the surface layer part of the main surface and which are positioned in a region of the main surface side with respect to the bottom wall; and a plurality of first conductivity-type source drain regions which are respectively formed in the surface layer parts of the drift regions.
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant : une couche semi-conductrice ayant une surface principale ; une structure de grille de tranchée qui a une première paroi latérale sur un côté dans une vue en coupe transversale, une seconde paroi latérale sur l'autre côté, et une paroi inférieure, et qui comprend une tranchée formée dans la surface principale, une couche isolante formée dans la paroi interne de la tranchée, et une électrode de grille incorporée dans la tranchée avec la couche isolante entre celles-ci et ayant une partie d'extrémité supérieure de celle-ci positionnée sur le côté de paroi inférieure par rapport à la surface principale ; une pluralité de régions de dérive de premier type de conductivité qui sont respectivement formées dans une région du premier côté de paroi latérale et une région du second côté de paroi latérale de la tranchée de façon à s'opposer l'une à l'autre avec la tranchée entre celles-ci dans la partie de couche de surface de la surface principale et qui sont positionnées dans une région du côté de surface principale par rapport à la paroi de fond ; et une pluralité de régions de drain de source de premier type de conductivité qui sont respectivement formées dans les parties de couche de surface des régions de dérive.
(JA) 半導体装置は、主面を有する半導体層と、断面視において一方側の第１側壁、他方側の第２側壁および底壁を有し、前記主面に形成されたトレンチ、前記トレンチの内壁に形成された絶縁層、および、前記絶縁層を挟んで前記トレンチに埋設され、前記主面に対して前記底壁側に位置する上端部を有するゲート電極を含むトレンチゲート構造と、前記主面の表層部において前記トレンチを挟んで互いに対向するように前記トレンチの前記第１側壁側の領域および前記第２側壁側の領域にそれぞれ形成され、前記底壁に対して前記主面側の領域に位置する第１導電型の複数のドリフト領域と、複数の前記ドリフト領域の表層部にそれぞれ形成された第１導電型の複数のソースドレイン領域と、を含む。