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1. WO2020162447 - 半導体素子

公開番号 WO/2020/162447
公開日 13.08.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/004099
国際出願日 04.02.2020
IPC
H01S 5/026 2006.01
H電気
01基本的電気素子
S光を増幅または生成するために,放射の誘導放出による光増幅を用いた装置;光領域以外の電磁放射の誘導放出を用いた装置
5半導体レーザ
02レーザ作用にとって本質的ではない構造的な細部または構成
026モノリシックに集積された複数の構成,例.導波管,モニター用フォトデテクターまたは駆動素子
G02B 6/12 2006.01
G物理学
02光学
B光学要素,光学系,または光学装置
6ライトガイド;ライトガイドおよびその他の光素子,例.カップリング,からなる装置の構造的細部
10光導波路型のもの
12集積回路型のもの
CPC
G02B 6/12
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
6Light guides
10of the optical waveguide type
12of the integrated circuit kind
H01S 5/026
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
026Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
出願人
  • 古河電気工業株式会社 FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 若葉 昌布 WAKABA, Masaki
  • 比嘉 康貴 HIGA, Yasutaka
代理人
  • 特許業務法人酒井国際特許事務所 SAKAI INTERNATIONAL PATENT OFFICE
優先権情報
2019-02191408.02.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) ELÉMENT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体素子
要約
(EN)
The purpose of the present invention is to provide a semiconductor element in which degradation of properties and reduction in reliability can be minimized. This semiconductor element is provided with: a mesa part which has a semiconductor laminated structure and extends in a prescribed direction; an extension part which extends along the mesa part so as to partition trench grooves disposed so as to flank the mesa part; insulation parts which are made of an insulative material and which are provided to the respective trench grooves; and a conductor part provided on top of the mesa part, wherein at least one of the insulation parts is in close contact with the mesa part and is disposed so as to form a gap with respect to the extension part at at least a portion in the extension direction of the mesa part, and the conductor part is provided across the mesa part and at least one of the insulation parts.
(FR)
L'objectif de la présente invention est de fournir un élément semi-conducteur dans lequel la dégradation des propriétés et la réduction de la fiabilité peuvent être minimisées. Cet élément semi-conducteur comporte : une partie mesa qui a une structure stratifiée semi-conductrice et s'étend dans une direction prescrite ; une partie d'extension qui s'étend le long de la partie mesa de manière à diviser des rainures de tranchée disposées de manière à encadrer la partie mesa ; des parties d'isolation qui sont constituées d'un matériau isolant et qui sont disposées sur les rainures de tranchée respectives ; et une partie conductrice disposée au-dessus de la partie mesa, au moins l'une des parties d'isolation étant en contact étroit avec la partie mesa et est disposée de manière à former un espace par rapport à la partie d'extension au niveau d'au moins une partie dans la direction d'extension de la partie mesa, et la partie conductrice est disposée à travers la partie mesa et au moins l'une des parties d'isolation.
(JA)
特性の劣化や信頼性の低下を抑制できる半導体素子を提供することを目的とする。半導体素子は、半導体積層構造を有し、所定方向に延伸するメサ部と、メサ部の両側のそれぞれ設けられたトレンチ溝を隔てて、メサ部に沿って延在する延在部と、絶縁性材料からなり、トレンチ溝のそれぞれに設けられた絶縁部と、メサ部の上側に設けられた導電部と、を備え、絶縁部の少なくとも1つは、メサ部に密着し、かつメサ部の延伸方向における少なくとも一部において、延在部との間に空隙が形成されており、少なくとも1つの絶縁部とメサ部とにわたって導電部が設けられている。
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