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1. WO2020161957 - 成膜装置および成膜方法

公開番号 WO/2020/161957
公開日 13.08.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/036980
国際出願日 20.09.2019
IPC
C23C 14/34 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22被覆の方法に特徴のあるもの
34スパッタリング
C23C 14/58 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
58後処理
H01L 43/10 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
10材料の選択
H01L 43/12 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
12これらの装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
CPC
C23C 14/34
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
34Sputtering
C23C 14/58
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
58After-treatment
H01L 43/10
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
43Devices using galvano-magnetic or similar magnetic effects; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
10Selection of materials
H01L 43/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
43Devices using galvano-magnetic or similar magnetic effects; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
12Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
出願人
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
発明者
  • 今北 健一 IMAKITA Kenichi
  • 小野 一修 ONO Kazunaga
  • 北田 亨 KITADA Toru
  • 佐藤 圭祐 SATO Keisuke
  • 五味 淳 GOMI Atsushi
  • 横原 宏行 YOKOHARA Hiroyuki
  • 曽根 浩 SONE Hiroshi
代理人
  • 高山 宏志 TAKAYAMA Hiroshi
優先権情報
2019-02129808.02.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) FILM FORMING APPARATUS AND FILM FORMING METHOD
(FR) APPAREIL DE FORMATION DE FILM ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM
(JA) 成膜装置および成膜方法
要約
(EN)
A film forming apparatus according to the present invention comprises: a treatment vessel; a substrate holder for holding a substrate within the treatment vessel; a target electrode, disposed above the substrate holder, for holding a metal target and supplying electrical power, from a power source, to the target; an oxidizing gas introduction mechanism for supplying an oxidizing gas to the substrate; and a gas supply part for supplying an inert gas to the space where the target is disposed. Constituent metal is discharged from the target in the form of sputter particles, whereby a metal film is deposited on the substrate, and the metal film is oxidized by the oxidizing gas introduced by the oxidizing gas introduction mechanism, thereby forming a metal oxide film. When the oxidizing gas is introduced, the gas supply part supplies the inert gas to the space where the target is disposed so that the pressure therein is positive with respect to the pressure in a treatment space.
(FR)
L’invention concerne un appareil de formation de film comprenant : une cuve de traitement ; un dispositif de retenue de substrat destiné à retenir un substrat à l'intérieur de la cuve de traitement ; une électrode cible, disposée au-dessus du dispositif de retenue de substrat, destinée à retenir une cible métallique et à l’alimentation en énergie électrique, à partir d'une source d'alimentation, vers la cible ; un mécanisme d'introduction de gaz oxydant destiné à alimenter le substrat en gaz oxydant ; et une partie d'alimentation en gaz destinée à alimenter en gaz inerte l'espace où est disposée la cible. Le métal constitutif sort de la cible sous forme de particules de pulvérisation, moyennant quoi un film métallique est déposé sur le substrat, et le film métallique est oxydé par le gaz oxydant introduit par le mécanisme d'introduction de gaz oxydant, formant ainsi un film d'oxyde métallique. Lorsque le gaz oxydant est introduit, la partie d'alimentation en gaz alimente en gaz inerte l'espace où est disposée la cible de sorte que la pression en son sein est positive par rapport à la pression dans un espace de traitement.
(JA)
成膜装置は、処理容器と、処理容器内で基板を保持する基板保持部と、基板保持部の上方に配置され、金属からなるターゲットを保持し、電源からの電力をターゲットに給電するターゲット電極と、基板に酸化ガスを供給する酸化ガス導入機構と、ターゲット配置空間に不活性ガスを供給するガス供給部とを具備する。ターゲットからその構成金属がスパッタ粒子として放出されて基板上に金属膜が堆積され、酸化ガス導入機構から導入された酸化ガスにより金属膜が酸化されて金属酸化膜が成膜される。ガス供給部は、酸化ガスが導入される際に、ターゲット配置空間に不活性ガスを供給して処理空間の圧力よりも陽圧になるようにする。
他の公開
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