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1. WO2020158635 - ポリフッ化ビニリデン膜形成用組成物

公開番号 WO/2020/158635
公開日 06.08.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/002654
国際出願日 27.01.2020
IPC
C08K 5/17 2006.01
C化学;冶金
08有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
K無機または非高分子有機物質の添加剤としての使用(ペイント,インキ,ワニス,染料,艶出剤,接着剤C09)
5有機配合成分の使用
16窒素含有化合物
17アミン;第四級アンモニウム化合物
C08K 5/42 2006.01
C化学;冶金
08有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
K無機または非高分子有機物質の添加剤としての使用(ペイント,インキ,ワニス,染料,艶出剤,接着剤C09)
5有機配合成分の使用
36いおう,セレンまたはテルル含有化合物
41いおう―酸素結合を有する化合物
42スルホン酸;その誘導体
C08L 27/16 2006.01
C化学;冶金
08有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
L高分子化合物の組成物
27ただ1つの炭素―炭素二重結合を含有する1個以上の不飽和脂肪族基をもち,その少くとも1つがハロゲンによって停止されている化合物の単独重合体または共重合体の組成物;そのような重合体の誘導体の組成物
02化学的な後処理によって変性されていないもの
12ふっ素を含有するもの
16ふっ化ビニリデンの単独重合体または共重合体
H01L 41/193 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
41圧電装置一般;電歪装置一般;磁歪装置一般;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
16材料の選択
18圧電または電歪素子用
193高分子組成物
H01L 21/312 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
312有機物層,例.フォトレジスト
CPC
C08K 5/42
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
5Use of organic ingredients
36Sulfur-, selenium-, or tellurium-containing compounds
41Compounds containing sulfur bound to oxygen
42Sulfonic acids; Derivatives thereof
C08L 27/16
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
27Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Compositions of derivatives of such polymers
02not modified by chemical after-treatment
12containing fluorine atoms
16Homopolymers or copolymers or vinylidene fluoride
H01L 41/193
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
41Piezo-electric devices in general; Electrostrictive devices in general; Magnetostrictive devices in general; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
16Selection of materials
18for piezo-electric or electrostrictive devices ; , e.g. bulk piezo-electric crystals
193Macromolecular compositions ; , e.g. piezo-electric polymers
出願人
  • 日産化学株式会社 NISSAN CHEMICAL CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 長▲濱▼ 宅磨 NAGAHAMA Takuma
  • 前田 真一 MAEDA Shinichi
代理人
  • 特許業務法人英明国際特許事務所 PATENT PROFESSIONAL CORPORATION EI-MEI PATENT OFFICE
優先権情報
2019-01519031.01.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) COMPOSITION FOR FORMING POLYVINYLIDENE FLUORIDE FILM
(FR) COMPOSITION POUR FORMER UN FILM DE POLYFLUORURE DE VINYLIDÈNE
(JA) ポリフッ化ビニリデン膜形成用組成物
要約
(EN)
The present invention provides a composition for forming a polyvinylidene fluoride film, which contains: a polyvinylidene fluoride; at least one surfactant that is selected from among sulfuric acid-based surfactants, sulfonic acid-based surfactants and quaternary ammonium salt type surfactants; and a solvent.
(FR)
La présente invention concerne une composition pour former un film de polyfluorure de vinylidène, qui contient : un polyfluorure de vinylidène ; au moins un tensioactif qui est choisi parmi des tensioactifs à base d'acide sulfurique, des tensioactifs à base d'acide sulfonique et des tensioactifs de type sels d'ammonium quaternaire ; et un solvant.
(JA)
ポリフッ化ビニリデンと、硫酸系界面活性剤、スルホン酸系界面活性剤及び第4級アンモニウム塩型界面活性剤から選ばれる少なくとも一種の界面活性剤と、溶媒とを含むポリフッ化ビニリデン膜形成用組成物を提供する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報