処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2020158571 - 窒化物半導体基板、積層構造体、および窒化物半導体基板の製造方法

公開番号 WO/2020/158571
公開日 06.08.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/002333
国際出願日 23.01.2020
IPC
C30B 29/38 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10無機化合物または組成物
38窒化物
C30B 25/18 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
25反応ガスの化学反応による単結晶成長,例.化学蒸着(CVD)による成長
02エピタキシャル層成長
18基板によって特徴づけられたもの
CPC
C30B 25/18
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
02Epitaxial-layer growth
18characterised by the substrate
C30B 29/38
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
38Nitrides
出願人
  • 株式会社サイオクス SCIOCS COMPANY LIMITED [JP]/[JP]
  • 住友化学株式会社 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP]/[JP]
発明者
  • 吉田 丈洋 YOSHIDA Takehiro
代理人
  • 福岡 昌浩 FUKUOKA Masahiro
  • 橘高 英郎 KITTAKA Hideo
優先権情報
2019-01690801.02.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, LAMINATED STRUCTURE, AND METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE, STRUCTURE STRATIFIÉE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE
(JA) 窒化物半導体基板、積層構造体、および窒化物半導体基板の製造方法
要約
(EN)
A nitride semiconductor substrate that is constituted by monocrystals of a group III nitride semiconductor and has a main surface in which the nearest low-index crystal plane is the (0001) plane, the substrate having an oblique interface growth region grown on an oblique interface outside the (0001) plane, wherein: the areal proportion, of the main surface, occupied by the oblique interface growth region is 80% or more; there is no region of the main surface where the dislocation density exceeds 3 × 106 cm–2 when the dislocation density is measured on the basis of dark spot density via observation of the main surface at a 250 μm angle of view using a multiphoton excitation microscope; and the main surface has non-overlapping 50 μm-angle dislocation-free regions at a density of 100/cm2 or greater.
(FR)
L'invention concerne un substrat semi-conducteur au nitrure qui est constitué de monocristaux d'un semi-conducteur au nitrure du groupe III et possède une surface principale dans laquelle le plan cristallin à faible indice le plus proche est le plan (0001), le substrat comportant une région de croissance d'interface oblique développée sur une interface oblique à l'extérieur du plan (0001) : la proportion surfacique, de la surface principale, occupée par la région de croissance d'interface oblique étant égale ou supérieure à 80 % ; aucune région de la surface principale n'ayant une densité de dislocations dépassant 3 × 106 cm–2 lorsque la densité de dislocations est mesurée sur la base de la densité de points sombres par l'observation de la surface principale à un angle de vue de 250 µm à l'aide d'un microscope à excitation multiphotons ; et la surface principale comportant des régions sans dislocation à angle de 50 µm sans chevauchement à une densité supérieure ou égale à 100/cm2.
(JA)
III族窒化物半導体の単結晶からなり、最も近い低指数の結晶面が(0001)面である主面を有する窒化物半導体基板であって、(0001)面以外の傾斜界面を成長面として成長した傾斜界面成長領域を有し、主面において傾斜界面成長領域が占める面積割合は、80%以上であり、多光子励起顕微鏡により視野250μm角で主面を観察して暗点密度から転位密度を求めたときに、転位密度が3×10cm-2を超える領域が主面に存在せず、主面は、重ならない50μm角の無転位領域を100個/cm以上の密度で有する。
他の公開
国際事務局に記録されている最新の書誌情報