処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2020158515 - 固体撮像素子、電子機器、および固体撮像素子の製造方法

公開番号 WO/2020/158515
公開日 06.08.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/001960
国際出願日 21.01.2020
IPC
H01L 27/146 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144輻射線によって制御される装置
146固体撮像装置構造
H01L 21/3205 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
3205絶縁層へ非絶縁層,例.導電層または抵抗層,の付着;これらの層の後処理
H01L 21/768 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
71グループH01L21/70で限定された装置の特定部品の製造
768装置内の別個の構成部品間に電流を流すため使用する相互接続を適用するもの
H01L 23/522 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
52動作中の装置内の1つの構成部品から他の構成部品へ電流を導く装置
522半導体本体上に分離できないように形成された導電層及び絶縁層の多層構造からなる外部の相互接続を含むもの
H04N 5/369 2011.01
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
5テレビジョン方式の細部
30光または類似信号から電気信号への変換
335固体撮像素子を用いるもの
369固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
H04N 5/374 2011.01
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
5テレビジョン方式の細部
30光または類似信号から電気信号への変換
335固体撮像素子を用いるもの
369固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
374アドレス型センサ,例.MOS型ないしはCMOS型センサ
CPC
H01L 21/3205
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3205Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
H01L 21/768
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
H01L 23/522
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another ; , i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
522including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
H01L 27/146
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
H04N 5/369
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
H04N 5/374
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
374Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
出願人
  • ソニー株式会社 SONY CORPORATION [JP]/[JP]
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 重歳 卓志 SHIGETOSHI, Takushi
  • 富樫 秀晃 TOGASHI, Hideaki
  • 山元 純平 YAMAMOTO, Junpei
  • 福岡 慎平 FUKUOKA, Shinpei
  • 竹尾 もえ TAKEO, Moe
  • 西田 翔 NISHIDA, Sho
代理人
  • 特許業務法人酒井国際特許事務所 SAKAI INTERNATIONAL PATENT OFFICE
優先権情報
2019-01193228.01.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SOLID-STATE IMAGING ELEMENT, ELECTRONIC APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING SOLID-STATE IMAGING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT D’IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS, APPAREIL ÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT D’IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 固体撮像素子、電子機器、および固体撮像素子の製造方法
要約
(EN)
This solid-state imaging element (1) comprises one or more photoelectric conversion layers (2), a via (50), and a connecting pad (52). The one or more photoelectric conversion layers (2) are provided on the side of one major surface of a semiconductor substrate (10) that is a light incident surface. The via (50) is provided in a pixel area, and has one end connected to the photoelectric conversion layers (2). The via (50) penetrates through the semiconductor substrate (10) from top to bottom, and transfers charges obtained by photoelectric conversion performed by the photoelectric conversion layers (2) to the other major surface side of the semiconductor substrate (10). The connecting pad (52) is provided in the same layer as that of the gate (Ga, Gr, G1, g2) of a transistor (AMP, RST, TG1, TG2) provided on the other major surface side of the semiconductor substrate (10), and has the other end of the via (50) connected thereto.
(FR)
La présente invention concerne un élément d'imagerie à semi-conducteurs (1) comprenant une ou plusieurs couches de conversion photoélectrique (2), un trou d'interconnexion (50) et un plot de connexion (52). La ou les couches de conversion photoélectrique (2) sont disposées sur le côté d'une première surface principale d'un substrat semi-conducteur (10) qui est une surface d'incidence de lumière. Le trou d'interconnexion (50) est disposé dans une zone de pixel, et a une extrémité reliée aux couches de conversion photoélectrique (2). Le trou d'interconnexion (50) pénètre à travers le substrat semi-conducteur (10) de haut en bas, et transfère les charges obtenues par conversion photoélectrique effectuée par les couches de conversion photoélectrique (2) au côté de l'autre surface principale du substrat semi-conducteur (10). Le plot de connexion (52) est disposé dans la même couche que celle de la grille (Ga, Gr, G1, g2) d'un transistor (AMP, RST, TG1, TG2) disposé sur le côté de l'autre surface principale du substrat semi-conducteur (10), l'autre extrémité du trou d'interconnexion (50) étant connectée à ce dernier.
(JA)
本開示に係る固体撮像素子(1)は、1層以上の光電変換層(2)と、貫通電極(50)と、接続パッド(52)とを有する。1層以上の光電変換層(2)は、半導体基板(10)の光入射面となる一方の主面側に設けられる。貫通電極(50)は、画素エリアに設けられ、一端が光電変換層(2)に接続されて半導体基板(10)の表裏を貫通し、光電変換層(2)によって光電変換された電荷を半導体基板(10)の他方の主面側へ転送する。接続パッド(52)は、半導体基板(10)の他方の主面側に設けられるトランジスタ(AMP,RST,TG1,TG2)のゲート(Ga,Gr,G1,g2)と同一層に設けられ、貫通電極(50)の他端が接続される。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報