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1. WO2020158510 - 硬化性フイルム

公開番号 WO/2020/158510
公開日 06.08.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/001945
国際出願日 21.01.2020
IPC
H01L 23/12 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
12マウント,例.分離できない絶縁基板
H01L 23/29 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
28封緘,例.封緘層,被覆
29材料に特徴のあるもの
H01L 23/31 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
28封緘,例.封緘層,被覆
31配列に特徴のあるもの
C08J 5/06 2006.01
C化学;冶金
08有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
J仕上げ;一般的混合方法;サブクラスC08B,C08C,C08F,C08GまたはC08Hに包含されない後処理(プラスチックの加工,例.成形B29)
5高分子物質を含む成形品の製造
04解繊されたまたは凝集した繊維状物質による高分子化合物の補強
06前処理した繊維状物質を使用するもの
H01L 21/56 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50サブグループH01L21/06~H01L21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
56封緘,例.封緘層,被覆
CPC
C08J 5/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G
5Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
04Reinforcing macromolecular compounds with loose or coherent fibrous material
06using pretreated fibrous materials
C08K 3/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
3Use of inorganic substances as compounding ingredients
C08L 1/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
1Compositions of cellulose, modified cellulose or cellulose derivatives
02Cellulose; Modified cellulose
C08L 63/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
63Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
H01L 21/56
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, ; e.g. sealing of a cap to a base of a container
56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
H01L 23/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
出願人
  • 株式会社ダイセル DAICEL CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 三宅弘人 MIYAKE, Hiroto
代理人
  • 特許業務法人後藤特許事務所 GOTO & CO.
優先権情報
2019-01259628.01.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) CURABLE FILM
(FR) FILM DURCISSABLE
(JA) 硬化性フイルム
要約
(EN)
The purpose of the present invention is to provide: a curable film for forming an anti-warping layer on the reverse surface of a semiconductor package, the curable film being such that it is possible to form a cured product having a low linear expansion coefficient even when the inorganic filler content of the curable film is low, to effectively form a via, and to form an anti-warping layer in which scum is not readily produced after formation of the via; a semiconductor package provided with an anti-warping layer; and a method for producing the semiconductor package. This curable film is used for forming, on the reverse surface of a semiconductor package, an anti-warping layer that prevents warping of the semiconductor package, wherein: the curable film has a configuration in which pores in a porous sheet-form support, which comprises a material having a linear expansion coefficient of 20 ppm/K or less, are filled with a curable composition; and the glass transition temperature of a cured product of the curable film is 100°C or less. This semiconductor package provided with an anti-warping layer has an anti-warping layer comprising a cured product of the curable film described above on the reverse surface of the semiconductor package.
(FR)
Le but de la présente invention est de fournir : un film durcissable pour former une couche anti-gauchissement sur la surface arrière d'un boîtier de semi-conducteur, le film durcissable étant tel qu'il est possible de former un produit durci ayant un faible coefficient de dilatation linéaire même lorsque la teneur en charge inorganique du film durcissable est faible, pour former efficacement un trou d'interconnexion, et pour former une couche anti-gauchissement dans laquelle l'écume n'est pas facilement produite après la formation du trou d'interconnexion ; un boîtier de semi-conducteur comprenant une couche anti-gauchissement ; et un procédé de production du boîtier de semi-conducteur. Ce film durcissable est utilisé pour former, sur la surface arrière d'un boîtier de semi-conducteur, une couche anti-gauchissement qui empêche le gauchissement du boîtier de semi-conducteur, le film durcissable ayant une configuration dans laquelle des pores dans un support en forme de feuille poreux, qui comprend un matériau ayant un coefficient de dilatation linéaire inférieur ou égal à 20 ppm/K, sont remplis d'une composition durcissable ; et la température de transition vitreuse d'un produit durci du film durcissable est inférieur ou égal à 100 °C. Ce boîtier de semi-conducteur comporte une couche anti-gauchissement ayant une couche anti-gauchissement comprenant un produit durci du film durcissable décrit ci-dessus sur la surface arrière du boîtier de semi-conducteur.
(JA)
本開示は、半導体パッケージの裏面に反り防止層を形成するための硬化性フイルムであって、無機フィラーの含有量が少なくても線膨張係数が低い硬化物を形成することができ、ビアを効率的に形成できると共に、ビア形成後にスカムが生じにくい反り防止層を形成することができる硬化性フイルム、反り防止層付記半導体パッケージ及びその製造方法を提供することを目的とする。 本開示の硬化性フイルムは、半導体パッケージの反りを防止する反り防止層を半導体パッケージの裏面に形成するための硬化性フイルムであって、熱線膨張係数が20ppm/K以下である素材からなるシート状多孔性支持体の孔内が硬化性組成物で充填された構成を有し、硬化物のガラス転移温度が100℃以下を示す。本開示の反り防止層付き半導体パッケージは、半導体パッケージの裏面に、前記硬化性フイルムの硬化物からなる反り防止層を有する。
他の公開
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