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1. WO2020158408 - 有機薄膜トランジスタおよび有機薄膜トランジスタの製造方法

公開番号 WO/2020/158408
公開日 06.08.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/001234
国際出願日 16.01.2020
IPC
H01L 29/786 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786薄膜トランジスタ
H01L 21/316 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314無機物層
316酸化物またはガラス性酸化物または酸化物を基礎としたガラスからなるもの
H01L 21/336 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335電界効果トランジスタ
336絶縁ゲートを有するもの
CPC
H01L 29/786
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
786Thin film transistors, ; i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
出願人
  • 富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 岩瀬 英二郎 IWASE Eijiro
代理人
  • 伊東 秀明 ITOH Hideaki
  • 三橋 史生 MITSUHASHI Fumio
優先権情報
2019-01695001.02.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) ORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR AND METHOD FOR PRODUCING ORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR EN COUCHE MINCE ORGANIQUE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 有機薄膜トランジスタおよび有機薄膜トランジスタの製造方法
要約
(EN)
The present invention addresses the problem of providing: an organic thin-film transistor that comprises an organic semiconductor film having good uniformity and high mobility; and a method for producing this organic thin-film transistor. The problem is solved by an organic thin-film transistor comprising a gate electrode, a gate insulating film that covers the gate electrode, a self-assembled monolayer that is provided on the surface of the gate insulating film, and an organic semiconductor film, a source electrode and a drain electrode that are provided on the reverse side of the self-assembled monolayer from the gate insulating film, wherein the gate insulating film is formed from alumina and has a surface with a relief structure formed by a boehmite treatment.
(FR)
L'invention a pour objet de fournir un transistor en couche mince organique qui possède un film semi-conducteur organique satisfaisant en termes d'uniformité et présentant une mobilité élevée, et également de fournir un procédé de fabrication de ce transistor en couche mince organique. À cet effet, l'objet de l'invention possède : une électrode de grille ; un film d'isolation de grille revêtant l'électrode de grille ; une monocouche autoassemblée agencée à la surface du film d'isolation de grille ; et un film semi-conducteur organique, une électrode source ainsi qu'une électrode déversoir qui sont agencés côté opposé au film d'isolation de grille sur la monocouche autoassemblée. En outre, le film d'isolation de grille est constitué d'une alumine et sa surface présente une structure en creux et relief sous l'effet d'un traitement de boehmite.
(JA)
均一性が良好で移動度が高い有機半導体膜を有する有機薄膜トランジスタ、および、この有機薄膜トランジスタの製造方法の提供を課題とする。ゲート電極と、ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜の表面に設けられる自己組織化単分子膜と、自己組織化単分子膜のゲート絶縁膜とは逆側に設けられる、有機半導体膜、ソース電極およびドレイン電極とを有し、ゲート絶縁膜がアルミナで、表面がベーマイト処理による凹凸構造を有することにより、課題を解決する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報