(EN) The present invention addresses the problem of providing: an organic thin-film transistor that comprises an organic semiconductor film having good uniformity and high mobility; and a method for producing this organic thin-film transistor. The problem is solved by an organic thin-film transistor comprising a gate electrode, a gate insulating film that covers the gate electrode, a self-assembled monolayer that is provided on the surface of the gate insulating film, and an organic semiconductor film, a source electrode and a drain electrode that are provided on the reverse side of the self-assembled monolayer from the gate insulating film, wherein the gate insulating film is formed from alumina and has a surface with a relief structure formed by a boehmite treatment.
(FR) L'invention a pour objet de fournir un transistor en couche mince organique qui possède un film semi-conducteur organique satisfaisant en termes d'uniformité et présentant une mobilité élevée, et également de fournir un procédé de fabrication de ce transistor en couche mince organique. À cet effet, l'objet de l'invention possède : une électrode de grille ; un film d'isolation de grille revêtant l'électrode de grille ; une monocouche autoassemblée agencée à la surface du film d'isolation de grille ; et un film semi-conducteur organique, une électrode source ainsi qu'une électrode déversoir qui sont agencés côté opposé au film d'isolation de grille sur la monocouche autoassemblée. En outre, le film d'isolation de grille est constitué d'une alumine et sa surface présente une structure en creux et relief sous l'effet d'un traitement de boehmite.
(JA) 均一性が良好で移動度が高い有機半導体膜を有する有機薄膜トランジスタ、および、この有機薄膜トランジスタの製造方法の提供を課題とする。ゲート電極と、ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜の表面に設けられる自己組織化単分子膜と、自己組織化単分子膜のゲート絶縁膜とは逆側に設けられる、有機半導体膜、ソース電極およびドレイン電極とを有し、ゲート絶縁膜がアルミナで、表面がベーマイト処理による凹凸構造を有することにより、課題を解決する。