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1. WO2020158376 - シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ

公開番号 WO/2020/158376
公開日 06.08.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/000946
国際出願日 15.01.2020
IPC
B24B 7/22 2006.01
B処理操作;運輸
24研削;研磨
B研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
7平担なガラス面の研磨を含む工作物の平面を研削するために設計された機械または装置;そのための附属装置
20研削されるべき非金属物体の材質の特性に対する特別な設計により特徴づけられるもの
22無機材料,例.石,セラミック,磁器,を研削するもの
B24B 9/00 2006.01
B処理操作;運輸
24研削;研磨
B研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
9工作物の端部または斜面を研削またはバリ除去のために設計された機械または装置;そのための附属装置
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
CPC
B24B 7/22
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
7Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
20characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
22for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
B24B 9/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
9Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
H01L 21/304
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
出願人
  • 信越半導体株式会社 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 小出 真路 KOIDE Masamichi
代理人
  • 好宮 幹夫 YOSHIMIYA Mikio
  • 小林 俊弘 KOBAYASHI Toshihiro
優先権情報
2019-01296229.01.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR PRODUCING SILICON WAFER, AND SILICON WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE TRANCHE DE SILICIUM, ET TRANCHE DE SILICIUM
(JA) シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ
要約
(EN)
The present invention is a method for producing a silicon wafer, the method including a step for chamfering a silicon wafer that has a notch, a step for lapping the main surface or cutting both surfaces, an etching step, and a mirror surface chamfering step, wherein in the chamfering step, a chamfering process is performed so that inclination angles θ1 and θ2 of inclined parts of the notch reach 12° or less, where θ1 is defined as the inclination angle of an inclined part connected to the first main surface of the silicon wafer relative to the first main surface, and θ2 is defined as the inclination angle of an inclined part connected to the second main surface of the silicon wafer relative to the second main surface, in a cross-sectional shape of a chamfered part of the notch in the silicon wafer. There are thereby provided a method for producing a silicon wafer, and a silicon wafer, with which it is possible to suppress the generation, on the inclined parts of the notch due to etching, of protrusions that would be a source of grinding residue, and to prevent the production of grinding residue derived from protrusions on the inclined parts of the notch in the finished wafer.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de production d'une tranche de silicium, le procédé comprenant une étape de chanfreinage d'une tranche de silicium qui a une encoche, une étape de rodage de la surface principale ou de découpe des deux surfaces, une étape de gravure, et une étape de chanfreinage de surface de miroir, dans l'étape de chanfreinage, un processus de chanfreinage étant effectué de telle sorte que les angles d'inclinaison θ1 et θ2 de parties inclinées de l'encoche atteignent 12° ou moins, où θ1 est défini comme étant l'angle d'inclinaison d'une partie inclinée reliée à la première surface principale de la tranche de silicium par rapport à la première surface principale, et θ2 est défini comme étant l'angle d'inclinaison d'une partie inclinée reliée à la seconde surface principale de la tranche de silicium par rapport à la seconde surface principale, dans une forme de section transversale d'une partie chanfreinée de l'encoche dans la tranche de silicium. Il est ainsi proposé un procédé de production d'une tranche de silicium, et une tranche de silicium, au moyen desquels il est possible de supprimer la génération, sur les parties inclinées de l'encoche en raison de la gravure, de saillies qui seraient une source de résidus de broyage, et d'empêcher la production de résidus de broyage dérivés de saillies sur les parties inclinées de l'encoche dans la tranche finie.
(JA)
本発明は、ノッチを有するシリコンウェーハの面取り工程と、主面のラッピング又は両面削工程と、エッチング工程と、鏡面面取り工程とを含むシリコンウェーハの製造方法であって、シリコンウェーハのノッチの面取り部の断面形状において、シリコンウェーハの第1の主面に接続する傾斜部の第1の主面に対する傾斜角度をθ1、第2の主面に接続する傾斜部の第2の主面に対する傾斜角度をθ2と定義したとき、面取り工程において、ノッチにおける傾斜部の傾斜角度θ1及びθ2が12°以下となるように面取り加工を行うシリコンウェーハの製造方法である。これにより、研磨残りの原因となる突起がエッチングによりノッチの傾斜部に発生するのを抑制し、製品ウェーハのノッチの傾斜部に突起由来の研磨残りが発生するのを防止できるシリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハが提供される。
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