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1. WO2020158318 - 熱処理方法および熱処理装置

公開番号 WO/2020/158318
公開日 06.08.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/000281
国際出願日 08.01.2020
IPC
H01L 21/26 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
26波または粒子の輻射線の照射
H01L 21/316 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314無機物層
316酸化物またはガラス性酸化物または酸化物を基礎としたガラスからなるもの
H01L 21/318 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314無機物層
318窒化物からなるもの
出願人
  • 株式会社SCREENホールディングス SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 青山 敬幸 AOYAMA Takayuki
  • 河原▲崎▼ 光 KAWARAZAKI Hikaru
  • 上田 晃頌 UEDA Akitsugu
代理人
  • 吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi
  • 有田 貴弘 ARITA Takahiro
優先権情報
2019-01316429.01.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) HEAT TREATMENT METHOD AND HEAT TREATMENT DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT THERMIQUE ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT THERMIQUE
(JA) 熱処理方法および熱処理装置
要約
(EN)
In the present invention, a semiconductor wafer on which a high dielectric constant film has been formed is conveyed into a treatment chamber. The semiconductor wafer is subjected to preliminary heating and flash heating in an ammonia atmosphere in the treatment chamber to perform a post-film formation heat treatment on the high dielectric constant film. Thereafter, the ammonia atmosphere in the treatment chamber is replaced with oxygen atmosphere, and an additional heat treatment is performed, where the semiconductor wafer is heated to 300-500°C. Even if a defect occurs in the high dielectric constant film due to oxygen desorption during the post-film formation heat treatment in the ammonia atmosphere, performing the additional heat treatment on the semiconductor wafer in the oxygen atmosphere oxidizes the high dielectric constant film, making it possible to eliminate the oxygen defects in the high dielectric constant film.
(FR)
Selon la présente invention, une plaquette semi-conductrice sur laquelle a été formée une pellicule à haute constante diélectrique est transportée dans une chambre de traitement. La plaquette semi-conductrice est soumise à un chauffage préliminaire et à un chauffage instantané dans une atmosphère d’ammoniac dans la chambre de traitement pour procéder à un traitement thermique post-formation de pellicule sur la pellicule à haute constante diélectrique. Ensuite, l’atmosphère d’ammoniac dans la chambre de traitement est remplacée par une atmosphère d’oxygène, et un traitement thermique additionnel est mis en œuvre, où la plaquette semi-conductrice est chauffée entre 300 et 500 °C. Même si un défaut se produit dans la pellicule à haute constante diélectrique en raison de la désorption d’oxygène durant le traitement thermique post-formation de pellicule dans l’atmosphère d’ammoniac, la mise en œuvre du traitement thermique additionnel sur la plaquette semi-conductrice dans l’atmosphère d’oxygène oxyde la pellicule à haute constante diélectrique, permettant ainsi d’éliminer les défauts d’oxygène dans la pellicule à haute constante diélectrique.
(JA)
高誘電率膜が形成された半導体ウェハーを処理チャンバー内に搬入する。処理チャンバー内をアンモニア雰囲気として半導体ウェハーの予備加熱およびフラッシュ加熱を行って高誘電率膜の成膜後熱処理を実行する。その後、処理チャンバー内をアンモニア雰囲気から酸素雰囲気に置換して半導体ウェハーを300℃以上500℃以下に加熱する追加加熱処理を実行する。アンモニア雰囲気中での成膜後熱処理時に酸素の脱離によって高誘電率膜に欠損が生じたとしても、酸素雰囲気中にて半導体ウェハーの追加加熱処理を実行することにより、高誘電率膜を酸化して高誘電率膜中の酸素の欠損を解消することができる。
他の公開
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