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1. WO2020158317 - プリウェット用組成物、及びそれを用いた太陽電池の製造方法

公開番号 WO/2020/158317
公開日 06.08.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/000278
国際出願日 08.01.2020
IPC
B05D 1/36 2006.01
B処理操作;運輸
05霧化または噴霧一般;液体または他の流動性材料の表面への適用一般
D液体または他の流動性材料を表面に適用する方法一般
1液体または他の流動性材料を適用する方法
36液体または他の流動性材料を連続的に適用するもの,例.中間処理がないもの
B05D 1/40 2006.01
B処理操作;運輸
05霧化または噴霧一般;液体または他の流動性材料の表面への適用一般
D液体または他の流動性材料を表面に適用する方法一般
1液体または他の流動性材料を適用する方法
40表面に関連して動く部材による適用された液体または他の流動性材料の分布
B05D 7/00 2006.01
B処理操作;運輸
05霧化または噴霧一般;液体または他の流動性材料の表面への適用一般
D液体または他の流動性材料を表面に適用する方法一般
7液体または他の流動性材料を特定の表面に適用するかまたは特定の液体または他の流動性材料を適用するのに特に適した,フロック加工以外の,方法
H01L 31/18 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
18これらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
H01L 21/225 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
22半導体本体へのまたは半導体本体からのまたは半導体領域間の不純物材料,例.ドーピング材料,電極材料,の拡散;不純物材料の再分布,例.さらなるドーパントの導入または除去をしないもの
225固相,例.ドープされた酸化物層,から固体へのまたは固体から固相への拡散を用いるもの
CPC
B05D 1/36
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
DPROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
1Processes for applying liquids or other fluent materials
36Successively applying liquids or other fluent materials, e.g. without intermediate treatment
B05D 1/40
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
DPROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
1Processes for applying liquids or other fluent materials
40Distributing applied liquids or other fluent materials by members moving relatively to surface
B05D 7/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
DPROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
7Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials
H01L 21/225
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
22Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; ; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
225using diffusion into or out of a solid from or into a solid phase, e.g. a doped oxide layer
H01L 31/18
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
出願人
  • 東レ株式会社 TORAY INDUSTRIES, INC. [JP]/[JP]
発明者
  • 弓場智之 YUBA, Tomoyuki
  • 北田剛 KITADA, Tsuyoshi
  • 秋本旭 AKIMOTO, Akira
優先権情報
2019-01285329.01.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) COMPOSITION FOR PRE-WETTING AND METHOD FOR PRODUCING SOLAR CELL USING SAME
(FR) COMPOSITION POUR PRÉMOUILLAGE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CELLULE SOLAIRE L'UTILISANT
(JA) プリウェット用組成物、及びそれを用いた太陽電池の製造方法
要約
(EN)
The purpose of the present invention is to provide: a composition for pre-wetting, which enables the achievement of a coating film that is free from defects and has good uniformity even if the supply amount of an impurity diffusion composition is low, and which is capable of enhancing the in-plane uniformity of the impurity concentration in a substrate after impurity diffusion; and a method for producing a solar cell, which uses this composition for pre-wetting. In order to achieve the above-described purpose, a composition for pre-wetting according to the present invention is applied in advance onto a semiconductor substrate before application of an impurity diffusion composition, and comprises (a) an organic solvent and (b) an organic base compound.
(FR)
Le but de la présente invention est de fournir une composition pour prémouillage permettant l'obtention d'un film de revêtement exempt de défauts et ayant une bonne uniformité même si la quantité d'alimentation d'une composition de diffusion d'impuretés est faible et étant capable d'améliorer l'uniformité du plan de la concentration d'impuretés dans un substrat après diffusion d'impuretés ; et un procédé de production d'une cellule solaire utilisant cette composition pour prémouillage. Afin d'atteindre l'objectif décrit ci-dessus, une composition pour prémouillage selon la présente invention est appliquée à l'avance sur un substrat semi-conducteur avant application d'une composition de diffusion d'impuretés et comprend (a) un solvant organique et (b) un composé de base organique.
(JA)
本発明は、不純物拡散組成物の供給量が少なくても、欠陥がなく均一性が良好な塗膜が得られ、さらには、不純物拡散後の基板面内の不純物濃度の均一性を高めることが可能となる、プリウェット用組成物、及びそれを用いた太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。 上記目的を達成するため、本発明のプリウェット用組成物は、不純物拡散組成物を塗布する前の半導体基板にあらかじめ塗布されるプリウェット用組成物であって、(a)有機溶媒、および(b)有機塩基化合物を含む。
他の公開
JP2020501407
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