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1. WO2020158272 - ターゲットおよび成膜装置並びに成膜対象物の製造方法

公開番号 WO/2020/158272
公開日 06.08.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/050892
国際出願日 25.12.2019
IPC
C23C 14/34 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22被覆の方法に特徴のあるもの
34スパッタリング
C23C 14/35 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22被覆の方法に特徴のあるもの
34スパッタリング
35磁界の適用によるもの,例.マグネトロンスパッタリング
H05H 1/46 2006.01
H電気
05他に分類されない電気技術
Hプラズマ技術;加速された荷電粒子のまたは中性子の発生;中性分子または原子ビームの発生または加速
1プラズマの生成;プラズマの取扱い
24プラズマの発生
46電磁界を用いるもの,例.高周波またはマイクロ波エネルギー
CPC
C23C 14/34
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
34Sputtering
C23C 14/35
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
34Sputtering
35by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
H05H 1/46
HELECTRICITY
05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
HPLASMA TECHNIQUE
1Generating plasma; Handling plasma
24Generating plasma
46using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
出願人
  • JSWアフティ株式会社 JSW AFTY CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 鳥居 博典 TORII, Hironori
  • 影山 浩二 KAGEYAMA, Kouji
代理人
  • 特許業務法人筒井国際特許事務所 TSUTSUI & ASSOCIATES
優先権情報
2019-01375030.01.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) TARGET, FILM FORMATION DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING OBJECT ON WHICH FILM IS TO BE FORMED
(FR) CIBLE, DISPOSITIF DE FORMATION DE FILM ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN OBJET SUR LEQUEL UN FILM EST À FORMER
(JA) ターゲットおよび成膜装置並びに成膜対象物の製造方法
要約
(EN)
A purpose is to prolong the life of a target member. The structure of a target (TA2) is made symmetric to achieve an invertible structure. According to this configuration, even when the consumption of a region of a target member (71) which is positioned on a plasma generation part side of the target member (71) where the plasma density is larger is increased, a region of the target member (71) which is positioned on a film-forming object side of the target member (71) where the plasma density is smaller can be repositioned on the plasma generation part side where the plasma density is larger, by inverting the target (TA2).
(FR)
L’invention a pour but de prolonger la durée de vie d'un élément cible. La structure d'une cible (TA2) est rendue symétrique afin d'obtenir une structure réversible. Selon cette configuration, même lorsque la consommation d'une région d'un élément cible (71) qui est positionnée sur un côté partie de génération de plasma de l'élément cible (71) où la densité de plasma est plus importante est augmentée, une région de l'élément cible (71) qui est positionnée sur un côté objet de formation de film de l'élément cible (71) où la densité de plasma est plus faible peut être repositionnée sur le côté partie de génération de plasma où la densité de plasma est plus importante, en retournant la cible (TA2).
(JA)
ターゲット部材の長寿命化を図る。ターゲット(TA2)の構造を対称構造にすることにより、反転可能な構成を実現する。これによれば、プラズマ密度が高いプラズマ生成部側において、ターゲット部材(71)の消費が大きくなっても、ターゲット(TA2)を反転させることにより、プラズマ密度が低い成膜対象物側に位置している消費の少ないターゲット部材(71)の部位をプラズマ密度の高いプラズマ生成部側に再配置することができる。
他の公開
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