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1. WO2020158086 - 表示装置及びトランジスタ

公開番号 WO/2020/158086
公開日 06.08.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/043308
国際出願日 05.11.2019
IPC
H01L 29/786 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786薄膜トランジスタ
G02F 1/167 2019.01
G物理学
02光学
F光の強度,色,位相,偏光または方向の制御,例.スイッチング,ゲーテイング,変調または復調のための装置または配置の媒体の光学的性質の変化により,光学的作用が変化する装置または配置;そのための技法または手順;周波数変換;非線形光学;光学的論理素子;光学的アナログ/デジタル変換器
1独立の光源から到達する光の強度,色,位相,偏光または方向の制御のための装置または配置,例.スィッチング,ゲーテイングまたは変調;非線形光学
01強度,位相,偏光または色の制御のためのもの
165印加された外場の作用下における流体中の粒子の並進運動に基づくもの
166電気光学または磁気光学効果によって特徴づけられたもの
167電気泳動によるもの
G09F 9/30 2006.01
G物理学
09教育;暗号方法;表示;広告;シール
F表示;広告;サイン;ラベルまたはネームプレート;シール
9情報が個々の要素の選択または組合せによって支持体上に形成される可変情報用の指示装置
30必要な文字が個々の要素を組み合わせることによって形成されるもの
H01L 21/336 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335電界効果トランジスタ
336絶縁ゲートを有するもの
CPC
G02F 1/167
GPHYSICS
02OPTICS
FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
1Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
01for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
165based on translational movement of particles in a fluid under the influence of an applied field
166characterised by the electro-optical or magneto-optical effect
167by electrophoresis
G09F 9/30
GPHYSICS
09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
FDISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
9Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
30in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
H01L 29/786
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
786Thin film transistors, ; i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
出願人
  • 株式会社ジャパンディスプレイ JAPAN DISPLAY INC. [JP]/[JP]
発明者
  • 尾関 芳孝 OZEKI, Yoshitaka
代理人
  • 特許業務法人スズエ国際特許事務所 S & S INTERNATIONAL PPC
優先権情報
2019-01577431.01.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) DISPLAY DEVICE AND TRANSISTOR
(FR) DISPOSITIF D'AFFICHAGE ET TRANSISTOR
(JA) 表示装置及びトランジスタ
要約
(EN)
According to an embodiment, provided is a display device comprising a display panel, which includes a pixel part in which a plurality of pixels are arranged and a peripheral part provided around the pixel part, and a driving circuit, which is provided in the peripheral part and drives the pixels. A transistor is provided in the pixel part or the peripheral part. The transistor comprises a semiconductor layer, first and second gate electrodes superimposed on the semiconductor layer, a source electrode, and a drain electrode. The source electrode is formed over a first channel region, which is a superimposed region of the first gate electrode and the semiconductor layer, at least in plan view. The drain electrode is formed at least over a second channel region, which is a superimposed region of the second gate electrode and the semiconductor layer, in plan view.
(FR)
L'invention concerne, selon un mode de réalisation, un dispositif d'affichage comprenant un panneau d'affichage qui comprend une partie de pixels dans laquelle une pluralité de pixels sont agencés et une partie périphérique disposée autour de la partie de pixels et un circuit d'attaque qui est disposé dans la partie périphérique et qui commande les pixels. Un transistor est disposé dans la partie de pixels ou dans la partie périphérique. Le transistor comprend une couche semi-conductrice, des première et seconde électrodes de grille superposées sur la couche semi-conductrice, une électrode de source et une électrode de drain. L'électrode de source est formée sur une première région de canal, qui est une région superposée de la première électrode de grille et de la couche semi-conductrice, au moins dans une vue en plan. L'électrode de drain est formée au moins sur une seconde région de canal, qui est une région superposée de la seconde électrode de grille et de la couche semi-conductrice, dans une vue en plan.
(JA)
実施形態によれば、複数の画素が配置される画素部と、当該画素部の周辺に設けられる周辺部とを有する表示パネルと、周辺部に設けられ、画素を駆動する駆動回路とを具備する表示装置が提供される。画素部または周辺部にはトランジスタが設けられており、トランジスタは、半導体層と、半導体層と重畳する第1及び第2ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極とを備える。ソース電極は、少なくとも平面視において、第1ゲート電極と半導体層の重畳領域である第1チャネル領域を覆って形成されている。ドレイン電極は、平面視において、少なくとも第2ゲート電極と半導体層の重畳領域である第2チャネル領域を覆って形成されている。
他の公開
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