処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2020158023 - 太陽電池セルおよびその製造方法並びに太陽電池モジュール

公開番号 WO/2020/158023
公開日 06.08.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/033299
国際出願日 26.08.2019
IPC
H01L 31/0224 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
02細部
0224電極
H01L 21/285 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28H01L21/20~H01L21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
283電極用の導電または絶縁材料の析出
285気体または蒸気からの析出,例.凝結
H01L 21/288 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28H01L21/20~H01L21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
283電極用の導電または絶縁材料の析出
288液体からの析出,例.電解液からの析出
H01L 29/43 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
40電極
43構成材料に特徴のあるもの
H01L 31/068 2012.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04光起電変換装置として使用されるもの
06少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
068電位障壁がPNホモ接合型のみからなるもの,例.バルクシリコンPNホモ接合太陽電池または薄膜多結晶シリコンPNホモ接合太陽電池
CPC
H01L 21/285
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
283Deposition of conductive or insulating materials for electrodes ; conducting electric current
285from a gas or vapour, e.g. condensation
H01L 21/288
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
283Deposition of conductive or insulating materials for electrodes ; conducting electric current
288from a liquid, e.g. electrolytic deposition
H01L 29/43
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
40Electrodes ; ; Multistep manufacturing processes therefor
43characterised by the materials of which they are formed
H01L 29/47
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
40Electrodes ; ; Multistep manufacturing processes therefor
43characterised by the materials of which they are formed
47Schottky barrier electrodes
H01L 29/872
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
86controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
861Diodes
872Schottky diodes
H01L 31/0224
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0224Electrodes
出願人
  • 国立研究開発法人産業技術総合研究所 NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP]/[JP]
発明者
  • 城内 紗千子 JOUNAI, Sachiko
  • 増田 淳 MASUDA, Atsushi
  • 鯉田 崇 KOIDA, Takashi
  • 柴田 肇 SHIBATA, Hajime
代理人
  • 特許業務法人筒井国際特許事務所 TSUTSUI & ASSOCIATES
優先権情報
2019-01375630.01.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SOLAR BATTERY CELL, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND SOLAR BATTERY MODULE
(FR) ÉLÉMENT DE BATTERIE SOLAIRE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET MODULE DE BATTERIE SOLAIRE
(JA) 太陽電池セルおよびその製造方法並びに太陽電池モジュール
要約
(EN)
The purpose of the present invention is to improve the reliability of a solar battery. In the present invention, a solar battery cell (CL) comprises a back electrode (BE), a p-type semiconductor layer (semiconductor substrate 1S) disposed on the back electrode (BE), and an n-type semiconductor layer (NL) disposed on the semiconductor substrate (1S). The solar battery cell (CL) furthermore comprises: an anti-reflection film (ARF) disposed on the n-type semiconductor layer (NL), the anti-reflection film (ARF) being made of an insulating film; surface electrodes (SE) penetrating the anti-reflection film (ARF) to reach the n-type semiconductor layer (NL); and an electroconductive film (CF) disposed on the anti-reflection film (ARF) so as to cover the surface electrodes (SE), the electroconductive film (CF) being translucent and being electrically connected to the n-type semiconductor layer (NL).
(FR)
L'objet de la présente invention est d'améliorer la performance d'une batterie solaire. Dans la présente invention, un élément de batterie solaire (CL) comprend une électrode arrière (BE), une couche semi-conductrice de type p (substrat semi-conducteur 1S) disposée sur l'électrode arrière (BE), et une couche semi-conductrice de type n (NL) disposée sur le substrat semi-conducteur (1S). L'élément de batterie solaire (CL) comprend en outre : un film antireflet (ARF) disposé sur la couche semi-conductrice de type n (NL), le film antireflet (ARF) étant constitué d'un film isolant ; des électrodes de surface (SE) pénétrant dans le film antireflet (ARF)) pour atteindre la couche semi-conductrice de type n (NL) ; et un film électroconducteur (CF) disposé sur le film antireflet (ARF)) de manière à recouvrir les électrodes de surface (SE), le film électroconducteur (CF) étant translucide et étant électriquement connecté à la couche semi-conductrice de type n (NL).
(JA)
太陽電池の信頼性を向上する。太陽電池セル(CL)は、裏面電極(BE)と、裏面電極(BE)上に配置されたp型半導体層(半導体基板1S)と、半導体基板(1S)上に配置されたn型半導体層(NL)とを備える。さらに、太陽電池セル(CL)は、n型半導体層(NL)上に配置され、かつ、絶縁膜からなる反射防止膜(ARF)と、反射防止膜(ARF)を貫通してn型半導体層(NL)に達する表面電極(SE)と、表面電極(SE)を覆うように反射防止膜(ARF)上に配置され、かつ、透光性を有し、かつ、n型半導体層(NL)と電気的に接続された導電性膜(CF)とを備える。
他の公開
国際事務局に記録されている最新の書誌情報