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1. WO2020157811 - マイクロLEDデバイスおよびその製造方法

公開番号 WO/2020/157811
公開日 06.08.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/002816
国際出願日 28.01.2019
IPC
H01L 33/48 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
48半導体素子本体のパッケージに特徴のあるもの
H01L 33/00 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
CPC
H01L 33/00
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
H01L 33/48
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
48characterised by the semiconductor body packages
出願人
  • 堺ディスプレイプロダクト株式会社 SAKAI DISPLAY PRODUCTS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 岸本 克彦 KISHIMOTO, Katsuhiko
代理人
  • 奥田 誠司 OKUDA Seiji
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) MICRO LED DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À MICRO-DEL ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
(JA) マイクロLEDデバイスおよびその製造方法
要約
(EN)
This micro LED device comprises: a plurality of micro LEDs (220) that each have a first semiconductor layer (21) of a first conductive type and a second semiconductor layer (22) of a second conductive type; and a front plane (200) that includes element isolation regions (240) positioned between the micro LEDs. The element isolation regions each include at least one metal plug (24) electrically connected to the second semiconductor layer. This device comprises: an intermediate layer (300) that includes a first contact electrode (31) electrically connected to the first semiconductor layer and a second contact electrode (32) connected to the metal plug; and a back plane (400) formed on the intermediate layer. This device further comprises a support substrate (500) fixed to at least one of the back plane and the front plane.
(FR)
La présente invention porte sur un dispositif à micro-DEL comprenant : une pluralité de micro-DEL (220) pourvues chacune d'une première couche semi-conductrice (21) d'un premier type de conductivité et d'une seconde couche semi-conductrice (22) d'un second type de conductivité ; et un plan avant (200) qui comprend des régions d'isolation d'éléments (240) placées entre les micro-DEL. Les régions d'isolation d'élément comprennent chacune au moins une fiche métallique (24) électriquement connectée à la seconde couche semi-conductrice. Le dispositif comprend : une couche intermédiaire (300) comprenant une première électrode de contact (31) électriquement connectée à la première couche semi-conductrice et une seconde électrode de contact (32) connectée à la fiche métallique ; et un plan arrière (400) formé sur la couche intermédiaire. Ledit dispositif comprend en outre un substrat de support (500) qui est fixé au moins à un plan parmi le plan arrière et le plan avant.
(JA)
本開示のマイクロLEDデバイスは、それぞれが第1導電型の第1半導体層(21)および第2導電型の第2半導体層(22)を有する複数のマイクロLED(220)、ならびにマイクロLEDの間に位置する素子分離領域(240)を含むフロントプレーン(200)を備える。素子分離領域は、第2半導体層に電気的に接続された少なくともひとつの金属プラグ(24)を有する。このデバイスは、第1半導体層に電気的に接続された第1コンタクト電極(31)および金属プラグに接続された第2コンタクト電極(32)を含む中間層(300)と、中間層上に形成されたバックプレーン(400)とを備える。このデバイスは、バックプレーンおよびフロントプレーンの少なくとも一方に固定された支持基板(500)を更に備える。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報