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1. WO2020130141 - 半導体装置


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INTERNATIONAL SEARCH REPORT (ISR)
Part 1:  1  2  3  4  5  6          Part 2:  A  B  C  D  E 
国際出願番号 出願人又は代理人の書類記号
PCT/JP2019/050173 6054-PCT
国際出願日 (日.月.年) 優先日 (日.月.年)
20.12.2019 21.12.2018
出願人(氏名又は名称)
ローム株式会社
今後の手続については、: 様式PCT/ISA/220 及び下記5を参照すること。
国際調査機関が作成したこの国際調査報告を法施行規則第41条(PCT18条)の規定に従い出願人に送付する。この写しは国際事務局にも送付される。
1. 国際調査報告の基礎
a. 言語に関し、この国際調査は以下のものに基づき行った。
出願時の言語による国際出願
出願時の言語から国際調査のための言語である                                          に翻訳された、この国際出願の翻訳文(PCT規則12.3(a)及び23.1(b))
b.
この国際調査報告は、PCT規則91の規定により国際調査機関が許可した又は国際調査機関に通知された明らかな誤りの訂正を考慮して作成した(PCT規則43.6の2(a))。
c.
この国際出願で開示されたヌクレオチド又はアミノ酸配列に関して、以下の配列表に基づき国際調査を行った。
2. 請求の範囲の一部の調査ができない
3. 発明の単一性が欠如している
次に述べるようにこの国際出願に二以上の発明があるとこの国際調査機関は認めた。
文献1:JP 2018-037932 A (日立オートモティブシステムズ株式会社) 08.03.2018(2018-03-08)
      段落 [0021]-[0058] & US 2019/0260371 A1 段落[0034]-[0071] & DE 112017003835 T5
       & CN 109643993 A       & WO 2018/042881 A1
請求の範囲は、以下の10の発明に区分される。
(発明1)請求項1-19,27-33,38-42,50-54
 請求項1-19,27-33,38-42,50-54は、「通常動作時に前記第1トランジスタおよび前記第2トランジスタをオン状態に制御し、アクティブクランプ動作時に前記第1トランジスタをオフ状態に制御すると共に前記第2トランジスタをオン状態に制御する制御信号を伝達する制御配線」という特別な技術的特徴を有しているので、発明1に区分する。
(発明2)請求項20-26
 請求項20-26は、発明1に区分された請求項1と、「トランジスタ」という共通の技術的特徴を有している。しかしながら、当該技術的特徴は、文献を示すまでもなく先行技術に対する貢献をもたらすものではないから、当該技術的特徴は、特別な技術的特徴であるとはいえない。また、これらの発明の間には、他に同一の又は対応する特別な技術的特徴は存在しない。さらに、請求項20-26は、請求項1の従属請求項ではない。また、請求項20-26は、発明1に区分されたいずれの請求項に対しても実質同一又はそれに準ずる関係にはない。
 したがって、請求項20-26は発明1に区分できない。
 そして、請求項20-26は、「ゲート分割トランジスタのオン遷移時に前記オン抵抗を定常値よりも引き下げるように前記複数のゲート信号を個別に制御するゲート制御回路」という特別な技術的特徴を有しているので、発明2に区分する。
(発明3)請求項34-37
 請求項34-37は、発明1に区分された請求項1と、「半導体層」という共通の技術的特徴を有している。しかしながら、当該技術的特徴は、文献に照らすまでもなく先行技術に対する貢献をもたらすものではないから、当該技術的特徴は、特別な技術的特徴であるとはいえない。また、これらの発明の間には、他に同一の又は対応する特別な技術的特徴は存在しない。さらに、請求項34-37は、請求項1の従属請求項ではない。また、請求項34-37は、発明1に区分されたいずれの請求項に対しても実質同一又はそれに準ずる関係にはない。
 したがって、請求項34-37は発明1に区分できない。
 そして、請求項34-37は、「前記主面に形成された第1トレンチ、前記第1トレンチの内壁に沿う第1絶縁層、前記第1絶縁層を挟んで前記第1トレンチの底壁側に埋設された第1底側電極、前記第1絶縁層を挟んで前記第1トレンチの開口側に埋設された第1開口側電極、ならびに、前記第1底側電極および前記第1開口側電極の間に介在する第1中間絶縁層を含む第1トレンチゲート構造と、前記主面に形成された第2トレンチ、前記第2トレンチの内壁に沿う第2絶縁層、前記第2絶縁層を挟んで前記第2トレンチの底壁側に埋設された第2底側電極、前記第2絶縁層を挟んで前記第2トレンチの開口側に埋設された第2開口側電極、ならびに、前記第2底側電極および前記第2開口側電極の間に介在する第2中間絶縁層を含む第2トレンチゲート構造と、前記半導体層において前記第1トレンチゲート構造に隣接して形成され、前記第1トレンチゲート構造によって制御される第1チャネルと、前記半導体層において前記第2トレンチゲート構造に隣接して形成され、前記第2トレンチゲート構造によって制御される第2チャネル」という特別な技術的特徴を有しているので、発明3に区分する。
(発明4)請求項43-49
 請求項43-49は、発明1に区分された請求項1と、「半導体層」という共通の技術的特徴を有している。しかしながら、当該技術的特徴は、文献に照らすまでもなく先行技術に対する貢献をもたらすものではないから、当該技術的特徴は、特別な技術的特徴であるとはいえない。また、これらの発明の間には、他に同一の又は対応する特別な技術的特徴は存在しない。さらに、請求項43-49は、請求項1の従属請求項ではない。また、請求項43-49は、発明1に区分されたいずれの請求項に対しても実質同一又はそれに準ずる関係にはない。
 したがって、請求項43-49は発明1に区分できない。
 そして、請求項43-49は、「前記第1主面の表層部に形成された第1導電型のドリフト領域と、前記半導体層において前記ドリフト領域に対して前記第2主面側の領域に形成され、前記ドリフト領域を超える不純物濃度を有する第1導電型のドレイン領域と、前記第1主面に形成された第1トレンチゲート構造と、前記第1トレンチゲート構造から間隔を空けて形成された第2トレンチゲート構造と、前記第1トレンチゲート構造に隣接して前記ドリフト領域に形成され、前記第1トレンチゲート構造によって制御される第1チャネルと、前記第2トレンチゲート構造に隣接して前記ドリフト領域に形成され、前記第2トレンチゲート構造によって前記第1チャネルから電気的に独立して制御される第2チャネル」という特別な技術的特徴を有しているので、発明4に区分する。
(発明5)請求項55-57
 請求項55-57は、発明1に区分された請求項1と、「半導体層」という共通の技術的特徴を有している。しかしながら、当該技術的特徴は、文献に照らすまでもなく先行技術に対する貢献をもたらすものではないから、当該技術的特徴は、特別な技術的特徴であるとはいえない。また、これらの発明の間には、他に同一の又は対応する特別な技術的特徴は存在しない。さらに、請求項55-57は、請求項1の従属請求項ではない。また、請求項55-57は、発明1に区分されたいずれの請求項に対しても実質同一又はそれに準ずる関係にはない。
 したがって、請求項55-57は発明1に区分できない。
 そして、請求項55-57は、「前記半導体層に形成された第1トレンチゲート構造と、前記第1トレンチゲート構造から間隔を空けて前記半導体層に形成された第2トレンチゲート構造と、前記半導体装置において前記第1トレンチゲート構造および前記第2トレンチゲート構造の間の領域に区画されたセル領域と、前記第1トレンチゲート構造に隣接して前記セル領域に形成され、前記第1トレンチゲート構造によって制御される第1チャネルと、前記第2トレンチゲート構造に隣接して前記セル領域に形成され、前記第2トレンチゲート構造によって前記第1チャネルから電気的に独立して制御される第2チャネル」という特別な技術的特徴を有しているので、発明5に区分する。
(発明6)請求項58-61
 請求項58-61は、発明1に区分された請求項1と、「通常動作時およびアクティブクランプ動作時において異なる方式で複数の前記トランジスタをオンオフ制御する制御回路」という共通の技術的特徴を有している。しかしながら、当該技術的特徴は、文献1に照らして先行技術に対する貢献をもたらすものではないから、当該技術的特徴は、特別な技術的特徴であるとはいえない。また、これらの発明の間には、他に同一の又は対応する特別な技術的特徴は存在しない。さらに、請求項58-61は、請求項1の従属請求項ではない。また、請求項58-61は、発明1に区分されたいずれの請求項に対しても実質同一又はそれに準ずる関係にはない。
 したがって、請求項58-61は発明1に区分できない。
 そして、請求項58-61は、「半導体層と、前記半導体層に区画された出力領域と、前記半導体層に区画された入力領域と、前記出力領域に形成された絶縁ゲート型の複数のトランジスタと、前記入力領域に形成され、通常動作時およびアクティブクランプ動作時において異なる方式で複数の前記トランジスタをオンオフ制御する制御回路」という特別な技術的特徴を有しているので、発明6に区分する。
(発明7)請求項62,63
 請求項62,63は、発明1に区分された請求項1と、「半導体層」という共通の技術的特徴を有している。しかしながら、当該技術的特徴は、文献に照らすまでもなく先行技術に対する貢献をもたらすものではないから、当該技術的特徴は、特別な技術的特徴であるとはいえない。また、これらの発明の間には、他に同一の又は対応する特別な技術的特徴は存在しない。さらに、請求項62,63は、請求項1の従属請求項ではない。また、請求項62,63は、発明1に区分されたいずれの請求項に対しても実質同一又はそれに準ずる関係にはない。
 したがって、請求項62,63は発明1に区分できない。
 そして、請求項62,63は、「主面を有する半導体層と、前記主面に形成されたトレンチ、前記トレンチの内壁に沿う絶縁層、前記絶縁層を挟んで前記トレンチの底壁側に埋設された底側電極、前記絶縁層を挟んで前記トレンチの開口側に埋設された開口側電極、ならびに、前記底側電極および前記開口側電極の間に介在する中間絶縁層を含むトレンチゲート構造と、前記トレンチに交差する方向に延び、前記トレンチに連通するように前記主面に形成されたコンタクトトレンチ、前記コンタクトトレンチの内壁に沿うコンタクト絶縁層、および、前記底側電極に接続されるように前記コンタクト絶縁層を挟んで前記コンタクトトレンチに埋設されたコンタクト電極を含むトレンチコンタクト構造」という特別な技術的特徴を有しているので、発明7に区分する。
(発明8)請求項64-68
 請求項64-68は、発明1に区分された請求項1と、「トランジスタ」という共通の技術的特徴を有している。しかしながら、当該技術的特徴は、文献に照らすまでもなく先行技術に対する貢献をもたらすものではないから、当該技術的特徴は、特別な技術的特徴であるとはいえない。また、これらの発明の間には、他に同一の又は対応する特別な技術的特徴は存在しない。さらに、請求項64-68は、請求項1の従属請求項ではない。また、請求項64-68は、発明1に区分されたいずれの請求項に対しても実質同一又はそれに準ずる関係にはない。
 したがって、請求項64-68は発明1に区分できない。
 そして、請求項64-68は、「複数のゲート信号の個別制御によりオン抵抗が変化するゲート分割トランジスタを含む半導体装置と、前記半導体装置に電気的に接続され、前記ゲート分割トランジスタのオン遷移時に前記オン抵抗を定常値よりも引き下げるように前記複数のゲート信号を個別に制御するゲート制御回路」という特別な技術的特徴を有しているので、発明8に区分する。
(発明9)請求項69,70
 請求項69,70は、発明1に区分された請求項1と、「トランジスタ」という共通の技術的特徴を有している。しかしながら、当該技術的特徴は、文献に照らすまでもなく先行技術に対する貢献をもたらすものではないから、当該技術的特徴は、特別な技術的特徴であるとはいえない。また、これらの発明の間には、他に同一の又は対応する特別な技術的特徴は存在しない。さらに、請求項69,70は、請求項1の従属請求項ではない。また、請求項69,70は、発明1に区分されたいずれの請求項に対しても実質同一又はそれに準ずる関係にはない。
 したがって、請求項69,70は発明1に区分できない。
 そして、請求項69,70は、「半導体層と、前記半導体層に形成された第1ゲート構造と、前記半導体層に形成された第2ゲート構造と、前記半導体層に前記第1ゲート構造に隣接して第1チャネル面積で形成され、前記第1ゲート構造によって制御される第1チャネルと、前記半導体層に前記第2ゲート構造に隣接して前記第1チャネル面積とは異なる第2チャネル面積で形成され、前記第2ゲート構造によって制御される第2チャネル」という特別な技術的特徴を有しているので、発明9に区分する。
(発明10)請求項71-80
 請求項71-80は、発明1に区分された請求項1と、「トランジスタ」という共通の技術的特徴を有している。しかしながら、当該技術的特徴は、文献に照らすまでもなく先行技術に対する貢献をもたらすものではないから、当該技術的特徴は、特別な技術的特徴であるとはいえない。また、これらの発明の間には、他に同一の又は対応する特別な技術的特徴は存在しない。さらに、請求項71-80は、請求項1の従属請求項ではない。また、請求項71-80は、発明1に区分されたいずれの請求項に対しても実質同一又はそれに準ずる関係にはない。
 したがって、請求項71-80は発明1に区分できない。
 そして、請求項71-80は、「複数のゲート信号の個別制御によりオン抵抗が変化するゲート分割トランジスタと、前記ゲート分割トランジスタのオン遷移時に前記オン抵抗を定常値よりも引き下げるように前記複数のゲート信号を個別に制御するゲート制御回路」という特別な技術的特徴を有しているので、発明10に区分する。
1.
出願人が必要な追加調査手数料をすべて期間内に納付したので、この国際調査報告は、すべての調査可能な請求項について作成した。
2.
追加調査手数料を要求するまでもなく、すべての調査可能な請求項について調査することができたので、追加調査手数料の納付を求めなかった。
3.
出願人が必要な追加調査手数料を一部のみしか期間内に納付しなかったので、この国際調査報告は、手数料の納付のあった次の請求項のみについて作成した。
4.
出願人が必要な追加調査手数料を期間内に納付しなかったので、この国際調査報告は、請求の範囲の最初に記載されている発明に係る次の請求項について作成した。 請求項1-19,27-33,38-42,50-54
追加調査手数料の異議の申立てに関する注意
追加調査手数料及び、該当する場合には、異議申立手数料の納付と共に、出願人から異議申立てがあった。
追加調査手数料の納付と共に出願人から異議申立てがあったが、異議申立手数料が納付命令書に示した期間内に支払われなかった。
追加調査手数料の納付はあったが、異議申立てはなかった。
4. 発明の名称
出願人が提出したものを承認する。
次に示すように国際調査機関が作成した。
5. 要約
出願人が提出したものを承認する。
第Ⅳ欄に示されているように、法施行規則第47条第1項(PCT規則38.2)の規定により国際調査機関が作成した。出願人は、この国際調査報告の発送の日から1月以内にこの国際調査機関に意見を提出することができる。
6. 図面
a.
要約とともに公表される図は、 第    14B     図とする。
出願人が示したとおりである。
出願人は図を示さなかったので、国際調査機関が選択した。
本図は発明の特徴を一層よく表しているので、国際調査機関が選択した。
b.
要約とともに公表される図はない。

B. 調査を行った分野

調査を行った最小限資料(国際特許分類(IPC)):
最小限資料以外の資料で調査を行った分野に含まれるもの:
日本国実用新案公報              1922‐1996年
日本国公開実用新案公報          1971‐2020年
日本国実用新案登録公報          1996‐2020年
日本国登録実用新案公報          1994‐2020年
国際調査で使用した電子データベース(データベースの名称、調査に使用した用語):

C. 関連すると認められる文献

引用文献のカテゴリー* 引用文献名 及び一部の箇所が関連するときは、その関連する箇所の表示 関連する
請求項の番号
(1)
A
JP 2018-037932 A  (日立オートモティブシステムズ株式会社) 08.03.2018 (2018-03-08)
1-19,27-33,38-42,50-54
段落 [0021]-[0058]
(2)
X
JP 2005-191221 A  (株式会社東芝) 14.07.2005 (2005-07-14)
29,38,50
段落[0019]-[0050],図4,図5
A
1-19,27,28,30-33,39-42,51-54
(3)
X
JP 2012-238715 A  (三菱電機株式会社) 06.12.2012 (2012-12-06)
29,38,50
段落[0011]-段落[0035],図1
A
1-19,27,28,30-33,39-42,51-54
*
引用文献のカテゴリー
"A"
特に関連のある文献ではなく、一般的技術水準を示すもの
"D"
国際出願で出願人が先行技術文献として記載した文献
"E"
国際出願日前の出願または特許であるが、国際出願日以後に公表されたもの
"L"
優先権主張に疑義を提起する文献又は他の文献の発行日若しくは他の特別な理由を確立するために引用する文献(理由を付す)
"O"
口頭による開示、使用、展示等に言及する文献
"P"
国際出願日前で、かつ優先権の主張の基礎となる出願の日の後に公表された文献
"T"
国際出願日又は優先日後に公表された文献であって出願と抵触するものではなく、発明の原理又は理論の理解のために引用するもの
"X"
特に関連のある文献であって、当該文献のみで発明の新規性又は進歩性がないと考えられるもの
"Y"
特に関連のある文献であって、当該文献と他の1以上の文献との、当業者にとって自明である組合せによって進歩性がないと考えられるもの
"&"
同一パテントファミリー文献

D. パテントファミリーに関する情報

引用文献 公表日 パテントファミリー文献 公表日
JP 2018-037932 A
08.03.2018
US 2019/0260371 A1
段落[0034]-[0071]
DE 112017003835 T5
CN 109643993 A
WO 2018/042881 A1
JP 2005-191221 A
14.07.2005
US 2005/0161798 A1
段落[0047]-[0080],図4,図5
US 2006/0202308 A1
JP 2012-238715 A
06.12.2012
US 2012/0286288 A1
段落[0031]-[0055],図1
KR 10-2014-0079345 A
         
DE 102012203595 A1
CN 102779820 A
KR 10-2014-0053059 A
名称及びあて先:
日本国特許庁(ISA/JP)
東京都千代田区霞が関三丁目4番3号, 100-8915
日本国
国際調査を完了した日:
04.03.2020
国際調査報告の発送日:
17.03.2020
権限のある職員(特許庁審査官):
棚田 一也 5F 9361
電話番号 03-3581-1101 内線 3516
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