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1. WO2020130133 - 有機フォトダイオード及び赤外線CMOSセンサー

公開番号 WO/2020/130133
公開日 25.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/050075
国際出願日 20.12.2019
IPC
C08G 73/02 2006.01
C化学;冶金
08有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
G炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応以外の反応によって得られる高分子化合物
73グループC08G12/00~C08G71/00に属さない,高分子の主鎖に酸素または炭素を有しまたは有せずに窒素を含む連結基を形成する反応により得られる高分子化合物
02ポリアミン
H01L 51/42 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
42赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応に特に適用されるもの;輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するか,またはこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
H01L 27/144 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144輻射線によって制御される装置
H01L 27/146 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144輻射線によって制御される装置
146固体撮像装置構造
H01L 27/30 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
28能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる構成部品を含むもの
30赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射への感応に特に適用される構成部品を有するもの;輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するか,またはこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用される構成部品を有するもの
出願人
  • 三菱ケミカル株式会社 MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 岡部 一毅 OKABE, Kazuki
代理人
  • 重野 剛 SHIGENO, Tsuyoshi
  • 重野 隆之 SHIGENO, Takayuki
優先権情報
2018-23847320.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) ORGANIC PHOTODIODE AND INFRARED CMOS SENSOR
(FR) PHOTODIODE ORGANIQUE ET CAPTEUR CMOS INFRAROUGE
(JA) 有機フォトダイオード及び赤外線CMOSセンサー
要約
(EN)
The present invention provides: an organic photodiode which has high photoelectric conversion efficiency, while having low dark current value; and an infrared CMOS sensor which uses this organic photodiode. An organic photodiode which sequentially comprises a first electrode, a hole transport layer, a photoelectric conversion layer and a second electrode in this order. The photoelectric conversion layer contains a p-type semiconductor and an n-type semiconductor. The hole transport layer contains a polymer compound which contains a repeating unit represented by formula (2). The polymer compound has a group which is mutually bonded to a carbon atom in a side chain of another polymer compound at 230°C.
(FR)
La présente invention concerne : une photodiode organique qui présente un rendement de conversion photoélectrique élevé tout en présentant une faible intensité du courant d'obscurité ; et un capteur CMOS infrarouge qui utilise cette photodiode organique. L'invention concerne également une photodiode organique qui comprend successivement et dans l'ordre une première électrode, une couche de transport de trous, une couche de conversion photoélectrique et une seconde électrode. La couche de conversion photoélectrique contient un semi-conducteur de type p et un semi-conducteur de type n. La couche de transport de trous contient un composé polymère qui contient un motif répétitif représenté par la formule (2). Le composé polymère possède un groupe qui est mutuellement lié à un atome de carbone dans une chaîne latérale d'un autre composé polymère à 230 °C.
(JA)
光電変換効率が高く、しかも暗電流値の低い有機フォトダイオードと、この有機フォトダイオードを用いた赤外線CMOSセンサーを提供する。第1電極、正孔輸送層、光電変換層、及び第2電極をこの順に含んでなる有機フォトダイオード。該光電変換層はp型半導体とn型半導体を含む。該正孔輸送層は、下記式(2)で表される繰り返し単位を含む高分子化合物を含有する。該高分子化合物は、該高分子化合物間において230℃において互いに側鎖の炭素原子に結合する基を有する。
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