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1. WO2020130110 - レーザ加工装置

公開番号 WO/2020/130110
公開日 25.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/049959
国際出願日 19.12.2019
IPC
B23K 26/00 2014.01
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
26レーザービームによる加工,例.溶接,切断または穴あけ
B23K 26/03 2006.01
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
26レーザービームによる加工,例.溶接,切断または穴あけ
02加工物の位置決めまたは観察,例.照射点に関するもの;レーザービームの軸合せ,照準または焦点合せ
03加工物の観察,例.加工物の監視
B23K 26/53 2014.01
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
26レーザービームによる加工,例.溶接,切断または穴あけ
50レーザービームに対して透明である加工物の加工
53加工物の内部に改質または変質部を形成するためのもの,例.破断の起点となる亀裂の形成
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
出願人
  • 浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP]/[JP]
発明者
  • 河口 大祐 KAWAGUCHI Daisuke
  • 和仁 陽太郎 WANI Yotaro
  • 伊ケ崎 泰則 IGASAKI Yasunori
代理人
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki
  • 黒木 義樹 KUROKI Yoshiki
  • 柴山 健一 SHIBAYAMA Kenichi
優先権情報
2018-23949621.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) LASER MACHINING APPARATUS
(FR) APPAREIL D'USINAGE AU LASER
(JA) レーザ加工装置
要約
(EN)
A laser machining apparatus comprising a stage that supports a semiconductor object containing gallium, an irradiating part that irradiates the semiconductor object supported by the stage with laser light, a measuring part that measures the transmittance of the semiconductor object, and a control unit that controls the irradiating part and the measuring part. The control unit performs: a first irradiating process in which the laser light is irradiated to form a plurality of modification spots and deposition areas containing gallium that has been deposited in the plurality of modification spots along a virtual plane inside the semiconductor object facing the surface; a measuring process in which the transmittance of the semiconductor object is measured, following the first irradiating process; and a second irradiating process in which, following the measuring process, the inside of the semiconductor is irradiated with laser light from the surface under irradiation conditions that depend on the transmittance of the semiconductor object measured in the measuring process.
(FR)
L’invention concerne un appareil d'usinage au laser comprenant une platine qui soutient un objet semi-conducteur contenant du gallium, une partie d'émission qui expose à une lumière laser l'objet semi-conducteur soutenu par la platine, une partie de mesure qui mesure la transmittance de l'objet semi-conducteur, et une unité de commande qui commande la partie d'émission et la partie de mesure. L'unité de commande effectue : un premier processus d'émission au cours duquel la lumière laser est émise pour former une pluralité de points de modification et des zones de dépôt contenant du gallium ayant été déposé dans la pluralité de points de modification le long d'un plan virtuel à l'intérieur de l'objet semi-conducteur tourné vers la surface ; un processus de mesure au cours duquel la transmittance de l'objet semi-conducteur est mesurée, suite au premier processus d'émission ; et un second processus d’émission au cours duquel, suite au processus de mesure, l'intérieur du semi-conducteur est exposé à une lumière laser provenant de la surface dans des conditions d'émission qui dépendent de la transmittance de l'objet semi-conducteur mesurée au cours du processus de mesure.
(JA)
レーザ加工装置は、ガリウムを含む半導体対象物を支持するステージと、前記ステージに支持された半導体対象物にレーザ光を照射する照射部と、前記半導体対象物の透過率を測定する測定部と、前記照射部及び前記測定部を制御する制御部と、を備える。前記制御部は、レーザ光を照射することにより、前記半導体対象物の内部において前記表面に対向する仮想面に沿って、複数の改質スポットと前記複数の改質スポットにおいて析出されたガリウムを含む析出領域とを形成する第1照射処理と、前記第1照射処理の後に、前記半導体対象物の透過率を測定する測定処理と、前記測定処理の後に、前記測定処理において測定された前記半導体対象物の透過率に応じた照射条件によって、前記表面から前記半導体対象物の内部にレーザ光を照射する第2照射処理と、を実行する。
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