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1. WO2020130109 - レーザ加工方法、及び、半導体部材製造方法

公開番号 WO/2020/130109
公開日 25.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/049956
国際出願日 19.12.2019
IPC
B28D 5/00 2006.01
B処理操作;運輸
28セメント,粘土,または石材の加工
D石材または石材類似材料の加工
5宝石類,結晶体の精密加工,例.半導体の材料;そのための装置
B23K 26/53 2014.01
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
26レーザービームによる加工,例.溶接,切断または穴あけ
50レーザービームに対して透明である加工物の加工
53加工物の内部に改質または変質部を形成するためのもの,例.破断の起点となる亀裂の形成
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
H01L 21/301 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
301半導体本体を別個の部品に細分割するため,例.分離する
出願人
  • 浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP]/[JP]
発明者
  • 河口 大祐 KAWAGUCHI Daisuke
  • 和仁 陽太郎 WANI Yotaro
  • 伊ケ崎 泰則 IGASAKI Yasunori
代理人
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki
  • 黒木 義樹 KUROKI Yoshiki
  • 柴山 健一 SHIBAYAMA Kenichi
優先権情報
2018-23949021.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) LASER MACHINING METHOD AND PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR MEMBER
(FR) PROCÉDÉ D'USINAGE PAR LASER ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D’ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) レーザ加工方法、及び、半導体部材製造方法
要約
(EN)
A laser machining method comprising: a first step in which the inside of a semiconductor object containing gallium is irradiated with laser light from the surface of the semiconductor object, thereby forming, along a virtual plane on the inside of the semiconductor object facing the surface thereof, a plurality of modified spots and a plurality of deposition areas containing gallium that has been deposited in the plurality of modified spots; and a second step in which, after the first step, the deposition areas are expanded by irradiating the inside of the semiconductor object with laser light from the surface thereof such that energy in the virtual plane is less than the machining threshold of the semiconductor object.
(FR)
L'invention concerne un procédé d'usinage par laser comprenant : une première étape dans laquelle l'intérieur d'un objet semi-conducteur contenant du gallium est irradié par une lumière laser à partir de la surface de l'objet semi-conducteur, formant ainsi, le long d'un plan virtuel sur l'intérieur de l'objet semi-conducteur faisant face à la surface correspondante, une pluralité de points modifiés et une pluralité de zones de dépôt contenant du gallium qui a été déposé dans la pluralité de points modifiés ; et une deuxième étape dans laquelle, après la première étape, les zones de dépôt sont étendues par irradiation de l'intérieur de l'objet semi-conducteur par une lumière laser à partir de la surface correspondante de telle sorte que l'énergie dans le plan virtuel est inférieure au seuil d'usinage de l'objet semi-conducteur.
(JA)
レーザ加工方法は、ガリウムを含む半導体対象物の表面から前記半導体対象物の内部にレーザ光を照射することにより、前記半導体対象物の内部において前記表面に対向する仮想面に沿って、複数の改質スポット、及び、前記複数の改質スポットにおいて析出されたガリウムを含む複数の析出領域を形成する第1工程と、前記第1工程の後に、前記仮想面におけるエネルギーが前記半導体対象物の加工閾値を下回るように、前記表面から前記半導体対象物の内部にレーザ光を照射することにより前記析出領域を拡大する第2工程と、を備える。
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