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1. WO2020130108 - レーザ加工方法、及び、半導体デバイス製造方法

公開番号 WO/2020/130108
公開日 25.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/049955
国際出願日 19.12.2019
IPC
B28D 5/00 2006.01
B処理操作;運輸
28セメント,粘土,または石材の加工
D石材または石材類似材料の加工
5宝石類,結晶体の精密加工,例.半導体の材料;そのための装置
B23K 26/53 2014.01
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
26レーザービームによる加工,例.溶接,切断または穴あけ
50レーザービームに対して透明である加工物の加工
53加工物の内部に改質または変質部を形成するためのもの,例.破断の起点となる亀裂の形成
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
出願人
  • 浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP]/[JP]
発明者
  • 河口 大祐 KAWAGUCHI Daisuke
  • 和仁 陽太郎 WANI Yotaro
  • 伊ケ崎 泰則 IGASAKI Yasunori
代理人
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki
  • 黒木 義樹 KUROKI Yoshiki
  • 柴山 健一 SHIBAYAMA Kenichi
優先権情報
2018-23949221.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) LASER MACHINING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ D'USINAGE AU LASER ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) レーザ加工方法、及び、半導体デバイス製造方法
要約
(EN)
A laser machining method for cutting a semiconductor wafer along a virtual plane that is inside the semiconductor wafer and faces the surface of the semiconductor wafer, said method comprising: a first step for forming a plurality of modified spots along the virtual plane inside the semiconductor wafer by radiating laser light into the semiconductor wafer from the surface thereof; and a second step for forming by epitaxial growth, on the semiconductor wafer after the first step, a semiconductor layer for a semiconductor device.
(FR)
La présente invention concerne un procédé d'usinage au laser destiné à découper une tranche de semi-conducteurs le long d'un plan virtuel qui est à l'intérieur de la tranche de semi-conducteurs et fait face à la surface de la tranche de semi-conducteurs, ledit procédé comprenant : une première étape consistant à former une pluralité de points modifiés le long du plan virtuel à l'intérieur de la tranche de semi-conducteurs par rayonnement de lumière laser dans la tranche de semi-conducteurs à partir de la surface de celle-ci ; et une seconde étape consistant à former, par croissance épitaxiale, sur la tranche de semi-conducteurs après la première étape, une couche de semi-conducteurs pour un dispositif à semi-conducteurs.
(JA)
レーザ加工方法は、半導体ウェハの内部において前記半導体ウェハの表面に対向する仮想面に沿って、前記半導体ウェハを切断するためのレーザ加工方法であって、前記表面から前記半導体ウェハの内部にレーザ光を照射することにより、前記半導体ウェハの内部において前記仮想面に沿って、複数の改質スポットを形成する第1工程と、前記第1工程の後に、前記半導体ウェハに対して、エピタキシャル成長によって半導体デバイスのための半導体層を形成する第2工程と、を備える。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報