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1. WO2020130104 - 有機半導体を含む組成物、有機半導体層形成用溶液、有機半導体層、および有機薄膜トランジスタ

公開番号 WO/2020/130104
公開日 25.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/049943
国際出願日 19.12.2019
IPC
H01L 51/30 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
30材料の選択
C07D 495/22 2006.01
C化学;冶金
07有機化学
D複素環式化合物(高分子化合物C08)
495縮合系中に異項原子として硫黄原子のみをもつ少なくても1個の複素環を含有する複素環式化合物
22縮合系が4個以上の複素環を含有するもの
H01L 21/336 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335電界効果トランジスタ
336絶縁ゲートを有するもの
H01L 29/786 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786薄膜トランジスタ
H01L 51/05 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
H01L 51/40 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
40このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
出願人
  • 東ソー株式会社 TOSOH CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 森貴裕 MORI Takahiro
  • 福田貴 FUKUDA Takashi
優先権情報
2018-23817520.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) COMPOSITION CONTAINING ORGANIC SEMICONDUCTOR, SOLUTION FOR FORMING ORGANIC SEMICONDUCTOR LAYER, ORGANIC SEMICONDUCTOR LAYER, AND ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR
(FR) COMPOSITION CONTENANT UN SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE, SOLUTION POUR LA FORMATION D'UNE COUCHE SEMI-CONDUCTRICE ORGANIQUE, COUCHE SEMI-CONDUCTRICE ORGANIQUE ET TRANSISTOR À COUCHE MINCE ORGANIQUE
(JA) 有機半導体を含む組成物、有機半導体層形成用溶液、有機半導体層、および有機薄膜トランジスタ
要約
(EN)
The present invention provides: a solution for forming an organic semiconductor layer, which exhibits excellent coatability; an organic semiconductor which is formed using this solution, and which has high heat resistance; a layer which contains this organic semiconductor; and an organic thin film transistor which exhibits high electrical properties. A composition which contains an organic semiconductor and a polymer (1) that has at least one unit selected from the group consisting of units of formula (1-a), formula (1-b) and formula (1-c). A composition which contains an organic semiconductor, the polymer (1) and an organic solvent is suitable for use as a solution for forming an organic semiconductor layer.
(FR)
La présente invention concerne : une solution pour la formation d'une couche semi-conductrice organique, qui présente une excellente aptitude au revêtement; un semi-conducteur organique qui est formé à l'aide de cette solution, et qui présente une haute résistance à la chaleur; une couche qui contient ce semi-conducteur organique; et un transistor à couche mince organique qui présente de hautes propriétés électriques. L'invention concerne également une composition qui contient un semi-conducteur organique et un polymère (1) comportant au moins une unité choisie dans le groupe constitué des unités de formule (1-a), de formule (1-b) et de formule (1-c). L'invention concerne en outre une composition qui contient un semi-conducteur organique, le polymère (1) et un solvant organique, appropriée pour être utilisée comme solution pour la formation d'une couche semi-conductrice organique.
(JA)
塗工性に優れた有機半導体層形成用溶液、それを用いて作成した、高い耐熱性を持つ有機半導体および該有機半導体を含む層、および高い電気物性を発現する有機薄膜トランジスタを提供する。 有機半導体と、式(1-a)、式(1-b)及び(1-c)からなる群の少なくとも1つの単位を有するポリマー(1)を含む組成物。有機半導体、ポリマー(1)と有機溶媒とを含む組成物は有機半導体層形成用溶液として好適に用いることができる。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報