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1. WO2020130094 - 基板処理膜形成用組成物及び半導体基板の洗浄方法

公開番号 WO/2020/130094
公開日 25.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/049920
国際出願日 19.12.2019
IPC
C08L 61/08 2006.01
C化学;冶金
08有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
L高分子化合物の組成物
61アルデヒドまたはケトンの縮重合体の組成物;そのような重合体の誘導体の組成物
04アルデヒドまたはケトンとフェノールのみとの縮重合体
06アルデヒドとフェノールとの
081価フェノールとの
C11D 7/22 2006.01
C化学;冶金
11動物性または植物性油,脂肪,脂肪性物質またはろう;それに由来する脂肪酸;洗浄剤;ろうそく
D洗浄性組成物;単一物質の洗浄剤としての使用;石けんまたは石けん製造;樹脂石けん;グリセリンの回収
7本質的に非表面活性化合物を基とする洗浄剤組成物
22有機化合物
C11D 7/26 2006.01
C化学;冶金
11動物性または植物性油,脂肪,脂肪性物質またはろう;それに由来する脂肪酸;洗浄剤;ろうそく
D洗浄性組成物;単一物質の洗浄剤としての使用;石けんまたは石けん製造;樹脂石けん;グリセリンの回収
7本質的に非表面活性化合物を基とする洗浄剤組成物
22有機化合物
26酸素を含むもの
C11D 7/50 2006.01
C化学;冶金
11動物性または植物性油,脂肪,脂肪性物質またはろう;それに由来する脂肪酸;洗浄剤;ろうそく
D洗浄性組成物;単一物質の洗浄剤としての使用;石けんまたは石けん製造;樹脂石けん;グリセリンの回収
7本質的に非表面活性化合物を基とする洗浄剤組成物
50溶剤
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
出願人
  • JSR株式会社 JSR CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 片切 崇 KATAGIRI Takashi
  • 青木 俊 AOKI Shun
  • 松木 智裕 MATSUKI Tomohiro
  • 植田 嘉奈子 UEDA Kanako
  • 高梨 和憲 TAKANASHI Kazunori
  • 中津 大貴 NAKATSU Hiroki
代理人
  • 天野 一規 AMANO Kazunori
優先権情報
2018-23744819.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) COMPOSITION FOR FORMING SUBSTRATE TREATMENT FILM AND METHOD FOR CLEANING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) COMPOSITION PERMETTANT DE FORMER UN FILM DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE NETTOYAGE DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 基板処理膜形成用組成物及び半導体基板の洗浄方法
要約
(EN)
The present invention is a composition for forming a substrate treatment film to be used in a method for cleaning a semiconductor substrate, the method being equipped with a step for applying a composition for forming a substrate treatment film to a substrate, and a step for bringing the substrate treatment film formed through the application step into contact with a substrate treatment film removal solution, wherein the composition for forming a substrate treatment film is characterized by containing a polymer and a solvent, the polymer having a C2-20 monovalent hydrocarbon group.
(FR)
La présente invention concerne une composition permettant de former un film de traitement de substrat à utiliser dans un procédé de nettoyage de substrat semi-conducteur, le procédé comportant une étape destinée à appliquer une composition permettant de former un film de traitement de substrat sur un substrat, et une étape destinée à amener le film de traitement de substrat, formé lors de l'étape d'application, en contact avec une solution d'élimination de film de traitement de substrat, la composition permettant de former un film de traitement de substrat étant caractérisée en ce qu'elle contient un polymère et un solvant, le polymère comprenant un groupe hydrocarboné monovalent en C2-20.
(JA)
本発明は、基板に基板処理膜形成用組成物を塗工する工程と、上記塗工工程により形成された基板処理膜に基板処理膜除去液を接触させる工程とを備える半導体基板の洗浄方法に用いられる基板処理膜形成用組成物であって、重合体及び溶媒を含有し、上記重合体が炭素数2~20の1価の炭化水素基を有することを特徴とする。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報