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1. WO2020130076 - 弾性波デバイス、弾性波フィルタ、デュプレクサ及びモジュール

公開番号 WO/2020/130076
公開日 25.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/049833
国際出願日 19.12.2019
IPC
H03H 9/145 2006.01
H電気
03基本電子回路
Hインビーダンス回路網,例.共振回路;共振器
9電気機械的または電気音響的素子を含む回路網;電気機械的共振器
02細部
125駆動手段,例.電極,コイル
145弾性表面波を用いる回路網のためのもの
H03H 9/25 2006.01
H電気
03基本電子回路
Hインビーダンス回路網,例.共振回路;共振器
9電気機械的または電気音響的素子を含む回路網;電気機械的共振器
25弾性表面波を使用する共振器の構造上の特徴
H03H 9/64 2006.01
H電気
03基本電子回路
Hインビーダンス回路網,例.共振回路;共振器
9電気機械的または電気音響的素子を含む回路網;電気機械的共振器
46濾波器
64弾性表面波を用いるもの
H03H 9/72 2006.01
H電気
03基本電子回路
Hインビーダンス回路網,例.共振回路;共振器
9電気機械的または電気音響的素子を含む回路網;電気機械的共振器
70相異った周波数または周波数帯域で動作する若干の電源または負荷を共通の負荷または電源に接続するための多端子回路網
72弾性表面波を用いる回路網
出願人
  • 三安ジャパンテクノロジー株式会社 SANAN JAPAN TECHNOLOGY CORPORATION [JP]/[JP]
  • 国立大学法人山梨大学 UNIVERSITY OF YAMANASHI [JP]/[JP]
発明者
  • 渡邉 紀之 WATANABE Noriyuki
  • 中村 浩 NAKAMURA Hiroshi
  • 垣尾 省司 KAKIO Shoji
代理人
  • 高岡 亮一 TAKAOKA Ryoichi
  • 小田 直 ODA Nao
  • 會田 悠介 AIDA Yusuke
  • 若田 充史 WAKATA Atsushi
  • 若田 勝一 WAKATA Katsuichi
優先権情報
2018-23895620.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) ELASTIC WAVE DEVICE, ELASTIC WAVES FILTER, DUPLEXER, AND MODULE
(FR) DISPOSITIF À ONDES ÉLASTIQUES, FILTRE D'ONDES ÉLASTIQUES, DUPLEXEUR ET MODULE
(JA) 弾性波デバイス、弾性波フィルタ、デュプレクサ及びモジュール
要約
(EN)
An elastic wave device 1 comprises a piezoelectric layer 3 made of a piezoelectric material, a carrier substrate 2, and IDT electrodes 4 formed on the piezoelectric layer, and excites a main vibration of the SH mode. The piezoelectric layer 3 has a thickness of 0.15-1.5 λ inclusive, where λ is a wavelength of an elastic wave determined by the electrode cycle P of the IDT electrodes 4. The carrier substrate 2 has acoustic anisotropy and is disposed in a crystal orientation that reduces unnecessary vibrations of the SV-mode and the vertical L-mode.
(FR)
Un dispositif à ondes élastiques 1 comprend une couche piézoélectrique 3 constituée d'un matériau piézoélectrique, un substrat de support 2 et des électrodes IDT 4 formées sur la couche piézoélectrique, et excite une vibration principale du mode SH. La couche piézoélectrique 3 a une épaisseur de 0,15 à 1,5 λ inclus, λ étant une longueur d'onde d'une onde élastique déterminée par le cycle d'électrode P des électrodes IDT 4. Le substrat de support 2 a une anisotropie acoustique et est disposé dans une orientation cristalline qui réduit les vibrations inutiles du mode SV et du mode L vertical.
(JA)
圧電材料でなる圧電層3と、キャリア基板2と、圧電層上に形成されたIDT電極4とを備え、SHモードの主振動を励起させる弾性波デバイス1を構成する。圧電層3は、IDT電極4の電極周期Pで定まる弾性波の波長をλとしたとき、0.15λ以上でかつ1.5λ以下の厚みを有する。キャリア基板2は、音響的異方性を有し、SVモード及び縦Lモードの不要振動を抑制する結晶方位に配置する。
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