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1. WO2020130055 - レーザ加工方法、半導体部材製造方法及びレーザ加工装置

公開番号 WO/2020/130055
公開日 25.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/049701
国際出願日 18.12.2019
IPC
B28D 5/00 2006.01
B処理操作;運輸
28セメント,粘土,または石材の加工
D石材または石材類似材料の加工
5宝石類,結晶体の精密加工,例.半導体の材料;そのための装置
B23K 26/53 2014.01
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
26レーザービームによる加工,例.溶接,切断または穴あけ
50レーザービームに対して透明である加工物の加工
53加工物の内部に改質または変質部を形成するためのもの,例.破断の起点となる亀裂の形成
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
H01L 21/301 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
301半導体本体を別個の部品に細分割するため,例.分離する
出願人
  • 国立大学法人東海国立大学機構 NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOKAI NATIONAL HIGHER EDUCATION AND RESEARCH SYSTEM [JP]/[JP]
  • 浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP]/[JP]
発明者
  • 田中 敦之 TANAKA Atsushi
  • 笹岡 千秋 SASAOKA Chiaki
  • 天野 浩 AMANO Hiroshi
  • 河口 大祐 KAWAGUCHI Daisuke
  • 和仁 陽太郎 WANI Yotaro
  • 伊ケ崎 泰則 IGASAKI Yasunori
  • 油井 俊樹 YUI Toshiki
代理人
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki
  • 黒木 義樹 KUROKI Yoshiki
  • 柴山 健一 SHIBAYAMA Kenichi
優先権情報
2018-23988321.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) LASER PROCESSING METHOD, SEMICONDUCTOR MEMBER MANUFACTURING METHOD, AND LASER PROCESSING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT LASER, PROCÉDÉ DE FABRICATION D’ÉLÉMENT À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT LASER
(JA) レーザ加工方法、半導体部材製造方法及びレーザ加工装置
要約
(EN)
Provided is a laser processing method for cutting a semiconductor object along a virtual plane facing a semiconductor object surface inside the semiconductor object, the method comprising: a first step for forming a plurality of first modified spots so as to have a first formation density along the virtual plane by irradiating the inside of the semiconductor object with a laser beam from the surface; and a second step for forming a plurality of second modified spots so as to have a second formation density higher than the first formation density along the virtual plane by irradiating the inside of the semiconductor object with a laser beam from the surface, after the first step.
(FR)
L'invention concerne un procédé de traitement laser pour découper un objet semi-conducteur le long d'un plan virtuel faisant face à une surface d'objet semi-conducteur à l'intérieur de l'objet semi-conducteur, le procédé comprenant : une première étape consistant à former une pluralité de premiers points modifiés de manière à avoir une première densité de formation le long du plan virtuel en irradiant l'intérieur de l'objet semi-conducteur avec un faisceau laser à partir de la surface ; et une seconde étape consistant à former une pluralité de seconds points modifiés de façon à avoir une seconde densité de formation supérieure à la première densité de formation le long du plan virtuel en irradiant l'intérieur de l'objet semi-conducteur avec un faisceau laser à partir de la surface, après la première étape.
(JA)
レーザ加工方法は、半導体対象物の内部において半導体対象物の表面に対向する仮想面に沿って、半導体対象物を切断するためのレーザ加工方法であって、表面から半導体対象物の内部にレーザ光を入射させることにより、仮想面に沿って、第1形成密度となるように複数の第1改質スポットを形成する第1工程と、第1工程の後に、表面から半導体対象物の内部にレーザ光を入射させることにより、仮想面に沿って、第1形成密度よりも高い第2形成密度となるように複数の第2改質スポットを形成する第2工程と、を備える。
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