処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2020130053 - レーザ加工方法、半導体部材製造方法及びレーザ加工装置

公開番号 WO/2020/130053
公開日 25.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/049699
国際出願日 18.12.2019
IPC
B28D 5/00 2006.01
B処理操作;運輸
28セメント,粘土,または石材の加工
D石材または石材類似材料の加工
5宝石類,結晶体の精密加工,例.半導体の材料;そのための装置
B23K 26/00 2014.01
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
26レーザービームによる加工,例.溶接,切断または穴あけ
B23K 26/53 2014.01
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
26レーザービームによる加工,例.溶接,切断または穴あけ
50レーザービームに対して透明である加工物の加工
53加工物の内部に改質または変質部を形成するためのもの,例.破断の起点となる亀裂の形成
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
H01L 21/301 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
301半導体本体を別個の部品に細分割するため,例.分離する
出願人
  • 浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP]/[JP]
発明者
  • 河口 大祐 KAWAGUCHI Daisuke
  • 和仁 陽太郎 WANI Yotaro
  • 伊ケ崎 泰則 IGASAKI Yasunori
代理人
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki
  • 黒木 義樹 KUROKI Yoshiki
  • 柴山 健一 SHIBAYAMA Kenichi
優先権情報
2018-23988821.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) LASER MACHINING METHOD, SEMICONDUCTOR MEMBER MANUFACTURING METHOD, AND LASER MACHINING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ D'USINAGE PAR LASER, PROCÉDÉ DE FABRICATION D’ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF D'USINAGE PAR LASER
(JA) レーザ加工方法、半導体部材製造方法及びレーザ加工装置
要約
(EN)
A laser machining method for cutting a semiconductor target along a virtual plane that is inside the semiconductor target and faces the surface of the semiconductor target, said method comprising: a first step for preparing the semiconductor target; and a second step for forming a plurality of modified spots along the virtual plane by causing laser light to enter into the semiconductor target from the surface thereof. At the second step, the laser light is made incident such that the implantation energy per unit area in a first region among the virtual plane is greater than the implantation energy per unit area in a second region among the virtual plane.
(FR)
L'invention concerne un procédé d'usinage par laser pour découper une cible semi-conductrice le long d'un plan virtuel qui se situe à l'intérieur de la cible semi-conductrice et qui fait face à la surface de la cible semi-conductrice, ledit procédé comprenant: une première étape consistant à préparer la cible semi-conductrice ; et une deuxième étape consistant à former une pluralité de points modifiés le long du plan virtuel en amenant la lumière laser à entrer dans la cible semi-conductrice à partir de sa surface. Dans la deuxième étape, la lumière laser est rendue incidente de telle sorte que l'énergie d'implantation par unité de surface dans une première région dans le plan virtuel est supérieure à l'énergie d'implantation par unité de surface dans une deuxième région dans le plan virtuel.
(JA)
レーザ加工方法は、半導体対象物の内部において半導体対象物の表面に対向する仮想面に沿って、半導体対象物を切断するためのレーザ加工方法であって、半導体対象物を用意する第1工程と、表面から半導体対象物の内部にレーザ光を入射させることにより、仮想面に沿って複数の改質スポットを形成する第2工程と、を備える。第2工程においては、仮想面のうちの第1領域における単位面積当たりの注入エネルギーが仮想面のうちの第2領域における単位面積当たりの注入エネルギーよりも大きくなるように、レーザ光を入射させる。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報