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1. WO2020130039 - 半導体デバイス接合部材

公開番号 WO/2020/130039
公開日 25.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/049601
国際出願日 18.12.2019
IPC
C22C 5/02 2006.01
C化学;冶金
22冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
C合金
5貴金属を基とする合金
02金を基とする合金
C22C 5/06 2006.01
C化学;冶金
22冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
C合金
5貴金属を基とする合金
06銀を基とする合金
C22C 9/02 2006.01
C化学;冶金
22冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
C合金
9銅基合金
02次に多い成分として錫を含むもの
B23K 35/30 2006.01
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
35ハンダ付,溶接または切断のために用いられる溶加棒,溶接電極,材料,媒剤
22材料の組成または性質を特徴とするもの
24適当なハンダ付材料または溶接材料の選定
30主成分が1550°C以下の融点をもつもの
H01L 21/52 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50サブグループH01L21/06~H01L21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
52容器中への半導体本体のマウント
出願人
  • 株式会社半導体熱研究所 SUPERUFO291 TEC [JP]/[JP]
発明者
  • 福井 彰 FUKUI, Akira
  • 福井 としゑ FUKUI, Toshie
代理人
  • 特許業務法人京都国際特許事務所 KYOTO INTERNATIONAL PATENT LAW OFFICE
優先権情報
2018-23606518.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE JOINING MEMBER
(FR) ÉLÉMENT DE JONCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体デバイス接合部材
要約
(EN)
This semiconductor device joining member 10 is used to join a to-be-joined surface of a semiconductor device 11 and a to-be-joined surface of a substrate 12 on which said semiconductor device 11 is to be placed, includes a layer comprising an alloy 102 that contains, as main components, Sn and at least one selected from among Ag, Cu, and Au, and has a melting point of at least 500°C. The inside of said joining member has a plurality of voids 101, the volume of which accounts for 5-40% of the total volume of the joining member. The joining member is configured to have a thermal conductivity of at least 120 W/m·K and an electrical conductivity of at least 50% IACS after having undergone a heat cycle test in which a cycle of cooling to -40°C and heating to 300°C is repeated 300 times.
(FR)
L'élément de jonction de dispositif à semi-conducteur 10 selon l'invention est utilisé pour joindre une surface à joindre d'un dispositif à semi-conducteur 11 et une surface à joindre d'un substrat 12 sur lequel ledit dispositif à semi-conducteur 11 doit être placé, lequel élément de jonction comprend une couche comprenant un alliage 102 qui contient, en tant que composants principaux, Sn et au moins un élément choisi parmi Ag, Cu et Au, et a un point de fusion d'au moins 500 °C. L'intérieur dudit élément de jonction a une pluralité de vides 101, dont le volume représente 5 à 40 % du volume total de l'élément de jonction. L'élément de jonction est conçu pour avoir une conductivité thermique d'au moins 120 W/m·K et une conductivité électrique d'au moins 50 % IACS après avoir subi un test de cycle thermique dans lequel un cycle de refroidissement à -40 °C et de chauffage à 300 °C est répété 300 fois.
(JA)
半導体デバイス11の被接合面と該半導体デバイス11が載置される基板12の被接合面とを接合する半導体デバイス接合部材であって、Ag、Cu、及びAuのうちの少なくとも1種類とSnとを主成分とし、融点が500℃以上である合金102からなる層を含み、内部に、総体積が全体の5パーセント以上40パーセント以下である複数の空隙101を有し、-40℃への冷却と300℃への加熱を300回繰り返すヒートサイクルテストを行った後の熱伝導率が120W/m・K以上、電気伝導率が50%IACS以上である半導体デバイス接合部材10。
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