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1. WO2020129913 - 半導体対象物加熱装置

公開番号 WO/2020/129913
公開日 25.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/049239
国際出願日 16.12.2019
IPC
B28D 5/04 2006.01
B処理操作;運輸
28セメント,粘土,または石材の加工
D石材または石材類似材料の加工
5宝石類,結晶体の精密加工,例.半導体の材料;そのための装置
04回転式以外の工具によるもの,例.往復動工具
B23K 26/53 2014.01
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
26レーザービームによる加工,例.溶接,切断または穴あけ
50レーザービームに対して透明である加工物の加工
53加工物の内部に改質または変質部を形成するためのもの,例.破断の起点となる亀裂の形成
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
出願人
  • 浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP]/[JP]
発明者
  • 河口 大祐 KAWAGUCHI Daisuke
  • 和仁 陽太郎 WANI Yotaro
  • 伊ケ崎 泰則 IGASAKI Yasunori
代理人
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki
  • 黒木 義樹 KUROKI Yoshiki
  • 柴山 健一 SHIBAYAMA Kenichi
優先権情報
2018-23991121.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR OBJECT HEATING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CHAUFFAGE D'OBJET SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体対象物加熱装置
要約
(EN)
This semiconductor object heating device comprises: a heating unit for heating a semiconductor object having, on the interior thereof, a modified region including a plurality of modified spots, a plurality of cracks respectively extending from the plurality of modified spots, and a gas; a monitoring unit for monitoring the cracks in the semiconductor object being heated by the heating unit; and a control unit for controlling the heating unit on the basis of the monitoring results from the monitoring unit.
(FR)
L'invention concerne un dispositif de chauffage d'objet semi-conducteur, comprenant : une unité de chauffage destinée à chauffer un objet semi-conducteur présentant, à l'intérieur de ce dernier, une région modifiée comportant une pluralité de points modifiés, une pluralité de fissures s'étendant respectivement à partir de la pluralité de points modifiés, et un gaz ; une unité de surveillance destinée à surveiller les fissures dans l'objet semi-conducteur qui est chauffé par l'unité de chauffage ; et une unité de commande destinée à commander l'unité de chauffage sur la base des résultats de surveillance à partir de l'unité de surveillance.
(JA)
半導体対象物加熱装置は、複数の改質スポットと複数の改質スポットからそれぞれ延びる複数の亀裂とガスとを含む改質領域が内部に形成された半導体対象物を加熱する加熱部と、加熱部で加熱されている半導体対象物の亀裂を監視する監視部と、監視部の監視結果に基づいて、加熱部を制御する制御部と、を備える。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報