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1. WO2020129885 - 半導体封止用成形材料、半導体封止用成形材料の製造方法及びそれを用いた半導体装置

公開番号 WO/2020/129885
公開日 25.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/049133
国際出願日 16.12.2019
IPC
C08J 3/12 2006.01
C化学;冶金
08有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
J仕上げ;一般的混合方法;サブクラスC08B,C08C,C08F,C08GまたはC08Hに包含されない後処理(プラスチックの加工,例.成形B29)
3高分子物質の処理方法または混合方法
12粉末化または粒状化
H01L 23/29 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
28封緘,例.封緘層,被覆
29材料に特徴のあるもの
H01L 23/31 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
28封緘,例.封緘層,被覆
31配列に特徴のあるもの
H01L 21/56 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50サブグループH01L21/06~H01L21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
56封緘,例.封緘層,被覆
出願人
  • 京セラ株式会社 KYOCERA CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 今野 功雅 KONNO, Yoshimasa
  • 前田 剛 MAEDA, Takeshi
代理人
  • 特許業務法人大谷特許事務所 OHTANI PATENT OFFICE
優先権情報
2018-24014721.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) MOLDING MATERIAL FOR SEMICONDUCTOR ENCAPSULATION, PRODUCTION METHOD OF MOLDING MATERIAL FOR SEMICONDUCTOR ENCAPSULATION, AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THIS
(FR) MATÉRIAU DE MOULAGE POUR ENCAPSULATION DE SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE MATÉRIAU DE MOULAGE POUR ENCAPSULATION DE SEMI-CONDUCTEUR, ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR L'UTILISANT
(JA) 半導体封止用成形材料、半導体封止用成形材料の製造方法及びそれを用いた半導体装置
要約
(EN)
In this molding material for semiconductor encapsulation, the content ratio of gel-like substance and/or agglomerates exceeding 100 μm in size is less than or equal to 50 ppm.
(FR)
Dans ce matériau de moulage pour encapsulation de semi-conducteur, le rapport de teneur en substance de type gel et/ou en agglomérats dépassant 100 µm de taille est inférieur ou égal à 50 ppm.
(JA)
大きさ100μm超の凝集物及び/又はゲル状物質の含有率が50ppm以下である半導体封止用成形材料。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報