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1. WO2020129884 - 温度検出回路

公開番号 WO/2020/129884
公開日 25.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/049131
国際出願日 16.12.2019
IPC
G01K 7/00 2006.01
G物理学
01測定;試験
K温度の測定;熱量の測定;他に分類されない感温素子
7熱に直接感応する電気的または磁気的素子の使用を基礎とした温度測定
G01K 7/01 2006.01
G物理学
01測定;試験
K温度の測定;熱量の測定;他に分類されない感温素子
7熱に直接感応する電気的または磁気的素子の使用を基礎とした温度測定
01PN接合をもつ半導体素子を用いるもの
CPC
G01K 7/00
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
7Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat
G01K 7/01
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
7Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat
01using semiconducting elements having PN junctions
出願人
  • 株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 鈴木 伸和 SUZUKI, Nobukazu
  • 山城 英世 YAMASHIRO, Hideyo
  • 杉本 泰崇 SUGIMOTO, Yasutaka
  • 河野 孝透 KAWANO, Takayuki
代理人
  • 吉川 修一 YOSHIKAWA, Shuichi
  • 傍島 正朗 SOBAJIMA, Masaaki
優先権情報
2018-23612518.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) TEMPERATURE DETECTION CIRCUIT
(FR) CIRCUIT DE DÉTECTION DE TEMPÉRATURE
(JA) 温度検出回路
要約
(EN)
A temperature detection circuit (1) comprises: a bipolar first transistor (Q1); and a bipolar second transistor (Q2). The first transistor (Q1) and the second transistor (Q2) form a current mirror circuit (10). The temperature of an amplification circuit (30) is detected on the basis of changes in the temperatures of the first transistor (Q1) and the second transistor (Q2).
(FR)
L'invention concerne un circuit de détection de température (1) comprenant : un premier transistor bipolaire (Q1) ; et un second transistor bipolaire (Q2). Le premier transistor (Q1) et le second transistor (Q2) forment un circuit miroir de courant (10). La température d'un circuit d'amplification (30) est détectée en fonction de changements des températures du premier transistor (Q1) et du second transistor (Q2).
(JA)
温度検出回路(1)は、バイポーラ型の第1トランジスタ(Q1)と、バイポーラ型の第2トランジスタ(Q2)と、を備え、第1トランジスタ(Q1)及び第2トランジスタ(Q2)はカレントミラー回路(10)を構成し、第1トランジスタ(Q1)及び第2トランジスタ(Q2)の温度変化に基づいて増幅回路(30)の温度を検出する。
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