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1. WO2020129845 - ポジ型ドライフィルムレジスト及びエッチング方法

公開番号 WO/2020/129845
公開日 25.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/048949
国際出願日 13.12.2019
IPC
G03F 7/004 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
G03F 7/023 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
022キノンジアジド
023高分子キノンジアジド;高分子添加剤,例.結合剤
G03F 7/11 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
09構造の細部,例.支持体,補助層,に特徴のあるもの
11被覆層又は中間層,例.下塗層をもつもの
H05K 3/06 2006.01
H電気
05他に分類されない電気技術
K印刷回路;電気装置の箱体または構造的細部,電気部品の組立体の製造
3印刷回路を製造するための装置または方法
02導電性物質が絶縁支持部材の表面に施されその後電流の伝導や遮へいのために使わない部分が表面から取り除かれるもの
06導電性物質が化学的にまたは電気分解により取り除かれるもの,例.ホトエッチング法
出願人
  • 三菱製紙株式会社 MITSUBISHI PAPER MILLS LIMITED [JP]/[JP]
発明者
  • 入澤 宗利 IRISAWA Munetoshi
  • 中村 優子 NAKAMURA Yuko
  • 梶谷 邦人 KAJIYA Kunihito
代理人
  • 特許業務法人たかはし国際特許事務所 TAKAHASHI INTERNATIONAL PATENT OFFICE
優先権情報
2018-23595618.12.2018JP
2019-01480530.01.2019JP
2019-03024822.02.2019JP
2019-19865731.10.2019JP
2019-21513528.11.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) POSITIVE DRY FILM RESIST AND ETCHING METHOD
(FR) RÉSERVE DE FILM SEC POSITIVE ET PROCÉDÉ DE GRAVURE
(JA) ポジ型ドライフィルムレジスト及びエッチング方法
要約
(EN)
The present invention addresses the problem of providing a positive dry film resist wherein, after the positive dry film resist is stuck on a base material, a support film (a) and a peel layer (b) can be easily peeled from an interface between a positive photosensitive resist layer (c) and the peel layer (b), and cracking does not tend to occur when the positive dry film resist is cut or slit, and providing an etching method using the positive dry film resist. This problem is solved by a positive dry film resist characterized by being formed by stacking at least the support film (a), the peel layer (b), and the positive photosensitive resist layer (c) in this order, wherein the peel layer (b) contains polyvinyl alcohol, the positive photosensitive resist layer (c) contains novolac resin and quinone diazide sulfonic acid ester as main ingredients, and an etching method using this positive dry film resist.
(FR)
La présente invention aborde le problème de la fourniture d'une réserve de film sec positive dans laquelle un film de support (a) et une couche de décollage (b) peuvent être facilement décollés d'une interface entre une couche de réserve photosensible positive (c) et la couche de décollage (b) après que la réserve de film sec positive ait été collée sur un matériau de base, la fissuration n'ayant pas tendance à se produire lorsque la réserve de film sec positive est coupée ou fendue. L'invention aborde également le problème de la fourniture d'un procédé de gravure utilisant la réserve de film sec positive. Ce problème est résolu par une réserve de film sec positive caractérisée en ce qu'elle est formée en empilant au moins le film de support (a), la couche de décollage (b) et la couche de réserve photosensible positive (c) dans cet ordre, la couche de décollage (b) contenant de l'alcool polyvinylique, la couche de réserve photosensible positive (c) contenant une résine novolaque et un ester d'acide sulfonique de diazide de quinone en tant qu'ingrédients principaux, et un procédé de gravure utilisant cette réserve de film sec positive.
(JA)
本発明の課題は、ポジ型ドライフィルムレジストを基材に貼り付けた後に、(a)支持体フィルム及び(b)剥離層を、(c)ポジ型感光性レジスト層と(b)剥離層の界面から容易に剥がすことができ、また、ポジ型ドライフィルムレジストをカット又はスリットする際に割れが発生し難いポジ型ドライフィルムレジストと該ポジ型ドライフィルムレジストを用いたエッチング方法を提供することであり、少なくとも(a)支持体フィルムと(b)剥離層と(c)ポジ型感光性レジスト層がこの順で積層してなり、(b)剥離層が、ポリビニルアルコールを含み、且つ、(c)ポジ型感光性レジスト層が、ノボラック樹脂及びキノンジアジドスルホン酸エステルを主成分として含むことを特徴とするポジ型ドライフィルムレジスト、及び、該ポジ型ドライフィルムレジストを用いたエッチング方法により上記課題を解決した。
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