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1. WO2020129803 - 光電変換素子および光電変換素子の製造方法

公開番号 WO/2020/129803
公開日 25.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/048683
国際出願日 12.12.2019
IPC
H01L 31/065 2012.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04光起電変換装置として使用されるもの
06少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
065電位障壁がこう配ギャップのみからなるもの
H01L 31/0749 2012.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04光起電変換装置として使用されるもの
06少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
072電位障壁がPNヘテロ接合型のみからなるもの
0749AIBIIICVI化合物を含む,例.CdS/CuInSe2 ヘテロ接合太陽電池
出願人
  • 出光興産株式会社 IDEMITSU KOSAN CO.,LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 冨田 仁 TOMITA Hiroshi
  • 杉本 広紀 SUGIMOTO Hiroki
代理人
  • 高岡 亮一 TAKAOKA Ryoichi
  • 小田 直 ODA Nao
  • 三好 玲奈 MIYOSHI Reina
  • 森 俊秀 MORI Toshihide
優先権情報
2018-23724819.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換素子および光電変換素子の製造方法
要約
(EN)
A photoelectric conversion element (10) has a photoelectric conversion layer (13) that is formed between a first electrode layer (12) and a second electrode layer (15), wherein the photoelectric conversion layer includes I-family elements of Cu and Ag, III-family elements of In and Ga, and VI-family elements of Se and S. The photoelectric conversion layer has an obverse-side region (13A) that is positioned on the light receiving surface side, a reverse-side region (13C) that is positioned on the reverse side of the light receiving surface, and an intermediate region (13B) that is positioned between the obverse-side region and the reverse-side region. In the thickness direction of the photoelectric conversion layer, a part indicating the minimum value of a band gap is included in the intermediate region (13B). When the ratio of the molar amount of Ag with respect to the sum of the molar amounts of a I-family element other than Ag, a III-family element, and a VI-family element is defined as an Ag concentration; a part indicating the maximum value of the Ag concentration in the thickness direction of the photoelectric conversion layer is included in the intermediate region (13B).
(FR)
La présente invention concerne un élément de conversion photoélectrique (10) comportant une couche de conversion photoélectrique (13) qui est formée entre une première couche d'électrode (12) et une seconde couche d'électrode (15), la couche de conversion photoélectrique comprenant des éléments de la famille I de Cu et d'Ag, des éléments de la famille III d'In et de Ga et des éléments de la famille VI de Se et de S. La couche de conversion photoélectrique a une région côté avers (13A) qui est positionnée sur le côté surface de réception de lumière, une région côté envers (13C) qui est positionnée sur le côté opposé de la surface de réception de lumière et une région intermédiaire (13B) qui est positionnée entre la région côté avers et la région côté envers. Dans le sens de l'épaisseur de la couche de conversion photoélectrique, une partie indiquant la valeur minimale d'un espace de bande est incluse dans la région intermédiaire (13B). Lorsque le rapport de la quantité molaire d'Ag par rapport à la somme des quantités molaires d'un élément de la famille I autre que l'Ag, d'un élément de la famille III et d'un élément de la famille VI est défini comme une concentration en Ag ; une partie indiquant la valeur maximale de la concentration en Ag dans le sens de l'épaisseur de la couche de conversion photoélectrique est incluse dans la région intermédiaire (13B).
(JA)
第1の電極層(12)と第2の電極層(15)との間に形成される光電変換層(13)を有する光電変換素子(10)であって、光電変換層は、I族元素のCu、Agと、III族元素のIn、Gaと、VI族元素のSe、Sと、を含む。光電変換層は、受光面側に位置する表面側領域(13A)と、当該受光面の裏面側に位置する裏面側領域(13C)と、表面側領域および裏面側領域の間に位置する中間領域(13B)と、を有する。光電変換層の厚さ方向においてバンドギャップの最小値を示す部位は、中間領域(13B)に含まれる。Ag以外のI族元素、III族元素およびVI族元素のモル量の和に対するAgのモル量の比をAg濃度としたときに、光電変換層の厚さ方向においてAg濃度の極大値を示す部位は、中間領域(13B)に含まれる。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報