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1. WO2020129757 - 基板処理装置

公開番号 WO/2020/129757
公開日 25.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/048343
国際出願日 10.12.2019
IPC
B24B 7/04 2006.01
B処理操作;運輸
24研削;研磨
B研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
7平担なガラス面の研磨を含む工作物の平面を研削するために設計された機械または装置;そのための附属装置
04回転型工作物支持テーブルを有するもの
B24B 47/16 2006.01
B処理操作;運輸
24研削;研磨
B研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
47研削機械または装置の駆動装置または伝動装置;そのための装置
10砥石車または工作物を保持する加工スピンドルを回転または往復動するためのもの
16往復運動させるもの,例.その間に主軸の回転方向が逆転されるもの
H01L 21/027 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
027その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループH01L21/18またはH01L21/34に分類されないもの
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
CPC
B24B 47/16
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
47Drives or gearings; Equipment therefor
10for rotating or reciprocating working-spindles carrying grinding wheels or workpieces
16performing a reciprocating movement, e.g. during which the sense of rotation of the working-spindle is reversed
B24B 7/04
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
7Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
04involving a rotary work-table
H01L 21/027
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
H01L 21/304
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
出願人
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
発明者
  • 久保 明広 KUBO Akihiro
  • 滝口 靖史 TAKIGUCHI Yasushi
  • 岡本 芳樹 OKAMOTO Yoshiki
  • 保坂 隼斗 HOSAKA Hayato
  • 小玉 輝彦 KODAMA Teruhiko
代理人
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki
  • 黒木 義樹 KUROKI Yoshiki
  • 柏岡 潤二 KASHIOKA Junji
優先権情報
2018-23856420.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理装置
要約
(EN)
This substrate processing device is provided with a polishing unit including: a polishing head (75) for polishing the main surface of a wafer W; a rotation drive part (82) for rotating the polishing head (75) around an axial line Ax1; and a rotation drive part (84) for moving the axial line Ax1 along a circular orbit around an axial line Ax2 parallel to the axial line Ax1. The center position of the polishing head (75) is different from the axial line Ax1. The outer diameter of the polishing head (75) is smaller than the movable-range diameter of the polishing head (75) around the axial line Ax1.
(FR)
Ce dispositif de traitement de substrat est pourvu d'une unité de polissage comprenant : une tête de polissage (75) pour polir la surface principale d'une plaquette W ; une partie d'entraînement de rotation (82) pour faire tourner la tête de polissage (75) autour d'une ligne axiale Ax1 ; et une partie d'entraînement de rotation (84) pour déplacer la ligne axiale Ax1 le long d'une orbite circulaire autour d'une ligne axiale Ax2 parallèle à la ligne axiale Ax1. La position centrale de la tête de polissage (75) est différente de la ligne axiale Ax1. Le diamètre extérieur de la tête de polissage (75) est inférieur au diamètre de la plage mobile de la tête de polissage (75) autour de la ligne axiale Ax1.
(JA)
基板処理装置は、ウェハWの主面を研磨する研磨ヘッド(75)と、軸線Ax1周りに研磨ヘッド(75)を回転させる回転駆動部(82)と、軸線Ax1に平行な軸線Ax2周りの円軌道に沿って軸線Ax1を移動させる回転駆動部(84)と、を有する研磨部を備える。研磨ヘッド(75)の中心位置は、軸線Ax1と異なっている。軸線Ax1周りの研磨ヘッド(75)の可動範囲の直径に比較して、研磨ヘッド(75)の外径が小さい。
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