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1. WO2020129737 - シリコンエッチング液

公開番号 WO/2020/129737
公開日 25.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/048150
国際出願日 09.12.2019
IPC
H01L 21/308 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
308マスクを用いるもの
出願人
  • 株式会社トクヤマ TOKUYAMA CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 置塩 真奈美 OSHIO, Manami
  • 東野 誠司 TONO, Seiji
  • 清家 吉貴 SEIKE, Yoshiki
代理人
  • 前田・鈴木国際特許業務法人 MAEDA & SUZUKI
優先権情報
2018-23634218.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SILICON ETCHING LIQUID
(FR) LIQUIDE DE GRAVURE AU SILICIUM
(JA) シリコンエッチング液
要約
(EN)
The purpose of the present invention is to provide an etching liquid which uses a quaternary ammonium compound such as TMAH as a main agent, while having an improved etching rate with respect to silicon without forming an adherent material on the etching surface during the etching, and which is not decreased in the etching rate even if continuously used for a long time. A silicon etching liquid according to the present invention is characterized by containing a phenolic compound represented by formula (1), a quaternary ammonium compound and water, and by having a pH of 12.5 or more. (In the formula, R1 represents a hydrogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group, an alkoxy group or an amino group; R2 represents a hydrogen atom, a hydroxyl group, an alkoxy group or an amino group; R1 and R2 are not hydrogen atoms at the same time; in cases where R1 is a hydrogen atom, R2 is not a hydroxyl group; and in cases where R1 is an alkyl group or a hydroxyl group, R2 is not a hydrogen atom.)
(FR)
Le but de la présente invention est de fournir un liquide de gravure qui utilise un composé d'ammonium quaternaire tel que le TMAH en tant qu'agent principal, tout en ayant un taux de gravure amélioré par rapport au silicium sans former un matériau adhérent sur la surface de gravure pendant la gravure, et qui n'est pas diminué dans le taux de gravure même s'il est utilisé en continu pendant une longue période. Un liquide de gravure au silicium selon la présente invention est caractérisé en ce qu'il contient un composé phénolique représenté par la formule (1), un composé d'ammonium quaternaire et de l'eau, et en ayant un pH de 12,5 ou plus. (Dans la formule, R1 représente un atome d'hydrogène, un groupe hydroxyle, un groupe alkyle, un groupe alcoxy ou un groupe amino ; R2 représente un atome d'hydrogène, un groupe hydroxyle, un groupe alcoxy ou un groupe amino ; R1 et R2 ne sont pas des atomes d'hydrogène en même temps ; dans les cas où R1 est un atome d'hydrogène, R2 n'est pas un groupe hydroxyle ; et dans les cas où R1 est un groupe alkyle ou un groupe hydroxyle, R2 n'est pas un atome d'hydrogène.)
(JA)
本発明は、シリコンに対するエッチング速度を向上させ、且つ、エッチング中においてエッチング面に付着物を形成することがなく、しかも長時間、連続使用をしてもエッチング速度が低下しないTMAH等の第4級アンモニウム化合物を主剤とするエッチング液を提供することを目的とする。 本発明のシリコンエッチング液は、下記式(1)で示されるフェノール化合物と、第4級アンモニウム化合物と、水とを含み、pH12.5以上であることを特徴とする。 (式中、Rは水素原子、水酸基、アルキル基、アルコキシ基又はアミノ基であり、Rは水素原子、水酸基、アルコキシ基又はアミノ基である。RとRとは同時に水素原子であることはなく、Rが水素原子のときRは水酸基ではなく、Rがアルキル基または水酸基のときRは水素原子ではない。)
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