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1. WO2020129734 - 基板処理装置及び基板処理方法

公開番号 WO/2020/129734
公開日 25.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/048093
国際出願日 09.12.2019
IPC
B23K 26/53 2014.01
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
26レーザービームによる加工,例.溶接,切断または穴あけ
50レーザービームに対して透明である加工物の加工
53加工物の内部に改質または変質部を形成するためのもの,例.破断の起点となる亀裂の形成
H01L 21/02 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
出願人
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
発明者
  • 森 弘明 MORI, Hirotoshi
  • 田之上 隼斗 TANOUE, Hayato
代理人
  • 金本 哲男 KANEMOTO, Tetsuo
  • 萩原 康司 HAGIWARA, Yasushi
  • 扇田 尚紀 OGITA, Naoki
  • 三根 卓也 MINE, Takuya
優先権情報
2018-24018921.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理装置及び基板処理方法
要約
(EN)
This substrate processing apparatus has: a holding unit that holds a superposed substrate; a periphery reforming unit that forms a periphery reforming layer along a boundary between a peripheral portion and a central portion inside a first substrate; an internal surface reforming unit that forms an internal surface reforming layer along a surface direction inside the first substrate; a holding unit moving mechanism that moves the holding unit in a horizontal direction; and a control unit that calculates an eccentric amount between the center of the holding unit and the center of a joining region, and performs, on the basis of the eccentric amount, eccentricity correction for controlling the holding unit moving mechanism to move the holding unit such that the center of the holding unit and the center of the joining region coincide with each other. The periphery reforming unit irradiates the inside of the first substrate with a laser beam for a periphery while moving the holding unit by performing the eccentricity correction, and the internal surface reforming unit irradiates at least a central portion inside the first substrate with a laser beam for an internal surface without performing the eccentricity correction.
(FR)
La présente invention concerne un appareil de traitement de substrat comprenant : une unité de maintien qui maintient un substrat superposé ; une unité de reformage de périphérie qui forme une couche de reformage de périphérie le long d'une limite entre une partie périphérique et une partie centrale à l'intérieur d'un premier substrat ; une unité de reformage de surface interne qui forme une couche de reformage de surface interne le long d'une direction de surface à l'intérieur du premier substrat ; un mécanisme de déplacement d'unité de maintien qui déplace l'unité de maintien dans une direction horizontale ; et une unité de commande qui calcule une quantité excentrique entre le centre de l'unité de maintien et le centre d'une région de jonction, et effectue, sur la base de la quantité excentrique, une correction d'excentricité pour commander le mécanisme de déplacement d'unité de maintien pour déplacer l'unité de maintien de telle sorte que le centre de l'unité de maintien et le centre de la région de jonction coïncident l'un avec l'autre. L'unité de reformage de périphérie expose l'intérieur du premier substrat à un faisceau laser pour une périphérie tout en déplaçant l'unité de maintien en réalisant la correction d'excentricité, et l'unité de reformage de surface interne expose au moins une partie centrale à l'intérieur du premier substrat à un faisceau laser pour une surface interne sans effectuer la correction d'excentricité.
(JA)
基板処理装置は、重合基板を保持する保持部と、第1の基板の内部に周縁部と中央部との境界に沿って周縁改質層を形成する周縁改質部と、第1の基板の内部に面方向に沿って内部面改質層を形成する内部面改質部と、保持部を水平方向に移動させる保持部移動機構と、保持部の中心と接合領域の中心の偏心量を算出し、当該偏心量に基づいて、保持部の中心と接合領域の中心が一致するように、保持部移動機構を制御して保持部を移動させる偏心補正を行う制御部と、を有する。周縁改質部は、偏心補正を行って保持部を移動させながら、第1の基板の内部に周縁用レーザ光を照射し、内部面改質部は、少なくとも第1の基板の内部の中心部において、偏心補正を行わずに内部面用レーザ光を照射する。
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