処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2020129733 - 基板処理装置及び基板処理方法

公開番号 WO/2020/129733
公開日 25.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/048091
国際出願日 09.12.2019
IPC
B23K 26/53 2014.01
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
26レーザービームによる加工,例.溶接,切断または穴あけ
50レーザービームに対して透明である加工物の加工
53加工物の内部に改質または変質部を形成するためのもの,例.破断の起点となる亀裂の形成
H01L 21/02 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
CPC
B23K 26/53
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
26Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
50Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
53for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
H01L 21/02
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
H01L 21/304
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
出願人
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
発明者
  • 森 弘明 MORI, Hirotoshi
  • 田之上 隼斗 TANOUE, Hayato
  • 川口 義広 KAWAGUCHI, Yoshihiro
代理人
  • 金本 哲男 KANEMOTO, Tetsuo
  • 萩原 康司 HAGIWARA, Yasushi
  • 扇田 尚紀 OGITA, Naoki
  • 三根 卓也 MINE, Takuya
優先権情報
2018-24017921.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理装置及び基板処理方法
要約
(EN)
This substrate processing device processes a substrate and includes: a substrate holding part for holding a second substrate of a combined substrate obtained by bonding a first substrate and the second substrate together; a peripheral edge modification unit that forms, inside the first substrate held by the substrate holding part, a peripheral edge modified layer by projecting a peripheral edge laser beam along a boundary between a peripheral edge and a center section to be removed; and an inner surface modification unit that forms, inside the first substrate held by the substrate holding part, an inner surface modified layer by projecting an inner surface laser beam along the surface direction, after the peripheral edge modified layer has been formed by the peripheral edge modification unit.
(FR)
L’invention concerne un dispositif de traitement de substrat traitant un substrat et comprenant : une partie de maintien de substrat destinée à maintenir un second substrat d'un substrat combiné obtenu par liaison d'un premier substrat et du second substrat ; une unité de modification de bord périphérique qui forme, à l'intérieur du premier substrat maintenu par la partie de maintien de substrat, une couche à bord périphérique modifié par projection d'un faisceau laser de bord périphérique le long d'une limite entre un bord périphérique et une section centrale à éliminer ; et une unité de modification de surface interne qui forme, à l'intérieur du premier substrat maintenu par la partie de maintien de substrat, une couche à surface interne modifiée par projection d'un faisceau laser de surface interne le long de la direction de surface, après que la couche à bord périphérique modifié a été formée par l'unité de modification de bord périphérique.
(JA)
基板を処理する基板処理装置であって、第1の基板の表面と第2の基板の表面が接合された重合基板において前記第2の基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された前記第1の基板の内部に、除去対象の周縁部と中央部との境界に沿って周縁用レーザ光を照射して周縁改質層を形成する周縁改質部と、前記周縁改質部で前記周縁改質層を形成した後、前記基板保持部に保持された前記第1の基板の内部に、面方向に沿って内部面用レーザ光を照射して内部面改質層を形成する内部面改質部と、を有する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報