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1. WO2020129732 - 基板処理装置及び基板処理方法

公開番号 WO/2020/129732
公開日 25.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/048090
国際出願日 09.12.2019
IPC
B23K 26/064 2014.01
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
26レーザービームによる加工,例.溶接,切断または穴あけ
02加工物の位置決めまたは観察,例.照射点に関するもの;レーザービームの軸合せ,照準または焦点合せ
06レーザービームの成形,例.マスクまたは多焦点合せによるもの
064光学素子によるもの,例.レンズ,鏡またはプリズム
B23K 26/53 2014.01
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
26レーザービームによる加工,例.溶接,切断または穴あけ
50レーザービームに対して透明である加工物の加工
53加工物の内部に改質または変質部を形成するためのもの,例.破断の起点となる亀裂の形成
H01L 21/02 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
出願人
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
発明者
  • 森 弘明 MORI, Hirotoshi
  • 田村 武 TAMURA, Takeshi
代理人
  • 金本 哲男 KANEMOTO, Tetsuo
  • 萩原 康司 HAGIWARA, Yasushi
  • 扇田 尚紀 OGITA, Naoki
  • 三根 卓也 MINE, Takuya
優先権情報
2018-24017721.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理装置及び基板処理方法
要約
(EN)
This substrate processing device processes a substrate and includes: a holding part for holding a second substrate of a combined substrate obtained by bonding a first substrate and the second substrate together; and a modification unit which, inside the first substrate held by the holding part, forms a peripheral edge modified layer by projecting a peripheral edge laser beam along a boundary between a peripheral edge and a center section to be removed, and forms an inner surface modified layer by projecting an inner surface laser beam along the surface direction. The modification unit switches between the peripheral edge laser beam and the inner surface laser beam by adjusting the shape and/or number of the peripheral edge laser beam and the inner surface laser beam.
(FR)
La présente invention concerne un dispositif de traitement de substrat qui traite un substrat et comprend : une partie de maintien pour maintenir un second substrat d'un substrat combiné obtenu par liaison d'un premier substrat et du second substrat ; et une unité de modification qui, à l'intérieur du premier substrat maintenu par la partie de maintien, forme une couche modifiée de bord périphérique par projection d'un faisceau laser de bord périphérique le long d'une limite entre un bord périphérique et une section centrale à éliminer et forme une couche modifiée de surface interne par projection d'un faisceau laser de surface interne le long de la direction de surface. L'unité de modification commute entre le faisceau laser de bord périphérique et le faisceau laser de surface interne par ajustement de la forme et/ou du nombre du faisceau laser de bord périphérique et du faisceau laser de surface interne.
(JA)
基板を処理する基板処理装置であって、第1の基板と第2の基板が接合された重合基板において前記第2の基板を保持する保持部と、前記保持部に保持された前記第1の基板の内部に、除去対象の周縁部と中央部との境界に沿って周縁用レーザ光を照射して周縁改質層を形成し、面方向に沿って内部面用レーザ光を照射して内部面改質層を形成する改質部と、を有し、前記改質部は、前記周縁用レーザ光と前記内部面用レーザ光の少なくとも形状又は数を調整して、当該周縁用レーザ光と内部面用レーザ光を切り換える。
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