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1. WO2020129730 - 基板処理装置及び基板処理方法

公開番号 WO/2020/129730
公開日 25.06.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/048087
国際出願日 09.12.2019
IPC
B23K 26/53 2014.01
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
26レーザービームによる加工,例.溶接,切断または穴あけ
50レーザービームに対して透明である加工物の加工
53加工物の内部に改質または変質部を形成するためのもの,例.破断の起点となる亀裂の形成
H01L 21/02 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
出願人
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
発明者
  • 森 弘明 MORI, Hirotoshi
  • 田之上 隼斗 TANOUE, Hayato
代理人
  • 金本 哲男 KANEMOTO, Tetsuo
  • 萩原 康司 HAGIWARA, Yasushi
  • 扇田 尚紀 OGITA, Naoki
  • 三根 卓也 MINE, Takuya
優先権情報
2018-24017521.12.2018JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理装置及び基板処理方法
要約
(EN)
This substrate processing device for processing a substrate has: a holding part for holding, in a superposed substrate in which a first substrate and a second substrate are joined, the second substrate; an inner surface reforming part for emitting a laser beam for an inner surface along a surface direction to the inside of the first substrate held by the holding part so as to form an inner surface reformed layer; and a movement mechanism for relatively moving the holding part and the inner surface reforming part, wherein the inner surface reformed layer is formed by moving the laser beam for an inner surface from a radially outer side to a radially inner side in the first substrate by means of the movement mechanism.
(FR)
Ce dispositif de traitement de substrat pour traiter un substrat comprend : une partie de maintien pour maintenir, dans un substrat superposé dans lequel un premier substrat et un second substrat sont joints, le second substrat ; une partie de reformage de surface interne pour émettre un faisceau laser pour une surface interne le long d'une direction de surface vers l'intérieur du premier substrat maintenu par la partie de maintien de façon à former une couche reformée de surface interne ; et un mécanisme de déplacement pour déplacer relativement la partie de maintien et la partie de reformage de surface interne, la couche reformée de surface interne étant formée par déplacement du faisceau laser pour une surface interne depuis un côté radialement externe vers un côté radialement interne dans le premier substrat au moyen du mécanisme de déplacement.
(JA)
基板を処理する基板処理装置であって、第1の基板と第2の基板が接合された重合基板において前記第2の基板を保持する保持部と、前記保持部に保持された前記第1の基板の内部に、面方向に沿って内部面用レーザ光を照射して内部面改質層を形成する内部面改質部と、前記保持部と前記内部面改質部を相対的に移動させる移動機構と、を有し、前記移動機構によって前記内部面用レーザ光を前記第1の基板の内部において径方向外側から内側に移動させて、前記内部面改質層を形成する。
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